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1. (WO2002031886) MONOLITHICALLY INTEGRATED E/D MODE HEMT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/031886    International Application No.:    PCT/KR2001/001729
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 13.10.2001
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 31/0328 (2006.01)
Applicants: KWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 1 Oryong-dong, Puk-gu Kwangju 500-712 (KR) (For All Designated States Except US).
SONG, Jong-In [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: SONG, Jong-In; (KR)
Agent: HUH, Jin-Seok; J.S. HUH Patent Office 206 Sungji Building 1338-22 Seocho-dong Seocho-ku Seoul 137-070 (KR)
Priority Data:
2000/60200 13.10.2000 KR
Title (EN) MONOLITHICALLY INTEGRATED E/D MODE HEMT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) TGME INTEGRE MONOLITHIQUE A ENRICHISSEMENT/APPAUVRISSEMENT ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)The monolithically integrated Enhancement/Depletion mode HEMT (high-electron-mobility transistor) of the present invention comprises: a buffer layer, a channel layer, a spacer layer, a first barrier layer, a second barrier layer, a third barrier layer, and an ohmic layer consecutively formed on a semiconductor substrate from bottom to top; the first exposed region (a gate region for a Depletion-mode HEMT) formed by selective etching of the ohmic layer to expose the third barrier layer; a second exposed region (a gate region for an Enhancement-mode HEMT) formed by selective etchings of the ohmic layer and the third barrier layer to expose the second barrier layer; and gate electrodes formed on the first and second exposed gate regions. According to the present invention, a monolithically integrated Enhancement/Depletion mode HEMT having a uniform threshold voltage can easily be fabricated. The second barrier layer, which has a larger bandgap energy compared with those of other barrier layers and is used for the fabrication of an Enhancement-mode HEMT, plays a role of increasing the potential barrier height with respect to the gate electrode metal. The increased potential barrier height can make the total thickness of barrier layers required for the threshold voltage of the Enhancement-mode HEMT device thicker than that of a conventional Enhancement-mode HEMT. This improves the speed characteristic of the Enhancement-mode HEMT since the transistor has a decreased gate capacitance.
(FR)L'invention concerne un transistor à grande mobilité d'électrons (TGME) intégré monolithique à enrichissement/appauvrissement comprenant : une couche intermédiaire, une couche de canal, une couche d'espacement, une première couche d'arrêt, une seconde couche d'arrêt, une troisième couche d'arrêt et une couche ohmique formées consécutivement sur une substrat de semi-conducteur depuis le fond jusqu'au sommet ; la première région exposée (une zone de grille pour un TGME à appauvrissement) formée par gravure sélective de la couche ohmique afin d'exposer la troisième couche d'arrêt ; une seconde région exposée (une zone grille pour un TGME à enrichissement) formée par gravure sélective de la couche ohmique et de la troisième couche afin d'exposer la seconde couche d'arrêt ; et des électrodes de grille formées sur la première et sur la seconde couche de grille exposée. Selon l'invention, il est possible de fabriquer facilement un TGME intégré monolithique à enrichissement/appauvrissement présentant une tension de seuil uniforme. La seconde couche d'arrêt, qui présente une énergie de bande interdite plus importante que celle des autres couches d'arrêt et qui est utilisée pour la fabrication d'un TGME à enrichissement, joue un rôle dans l'augmentation de la hauteur de la barrière de potentiel par rapport au métal de l'électrode de grille. La hauteur augmentée de la barrière de potentiel peut rendre l'épaisseur totale des couches d'arrêt requise pour la tension de seuil du TGME à enrichissement plus importante que celle d'un TGME à enrichissement classique. La vitesse du TGME à enrichissement s'en trouve augmentée étant donné que le transistor présente une capacité de grille réduite.
Designated States: JP, US.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)