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1. (WO2002031885) VERTICAL COMPONENT WITH HIGH-VOLTAGE STRENGTH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/031885    International Application No.:    PCT/FR2001/003150
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 11.10.2001
Chapter 2 Demand Filed:    07.05.2002    
IPC:
H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/747 (2006.01)
Applicants: STMICROELECTRONICS S.A. [FR/FR]; 29, boulevard Romain Rolland F-92120 Montrouge (FR) (For All Designated States Except US).
AURIEL, Gérard [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: AURIEL, Gérard; (FR)
Agent: DE BEAUMONT, Michel; Cabinet Michel de Beaumont 1, rue Champollion F-38000 Grenoble (FR)
Priority Data:
00/13077 12.10.2000 FR
Title (EN) VERTICAL COMPONENT WITH HIGH-VOLTAGE STRENGTH
(FR) COMPOSANT VERTICAL A TENUE EN TENSION ELEVEE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a vertical component with a four-layered structure comprising a thick lightly-doped zone (1) of a first type of conductivity providing the component voltage strength, enclosed with a peripheral wall (2) of a second type of conductivity extending vertically from one surface to the other of the component, and highly doped layer (3) of the second type of conductivity extending over the entire rear surface of the component. A lightly-doped layer (21) of the second type of conductivity extends over the entire surface of the component at the interface between the lightly-doped thick zone of the first type of conductivity and the highly-doped layer of the second type of conductivity.
(FR)L'invention concerne un composant vertical à structure 4 couches comprenant une zone épaisse et faiblement dopée (1) d'un premier type de conductivité assurant la tenue en tension de composant, entourée d'un mur périphérique (2) du deuxième type de conductivité s'étendant verticalement d'une face à l'autre du composant, et une couche fortement dopée (3) du deuxième type de conductivité s'étendant sur toute la face arrière du composant. Une couche faiblement dopée (21) du deuxième type de conductivité s'étend sur toute la surface du composant à l'interface entre la zone épaisse faiblement dopée du premier type de conductivité et la couche fortement dopée du deuxième type de conductivité.
Designated States: CN, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)