WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2002031883) PROTECTION DIODE FOR IMPROVED RUGGEDNESS OF A RADIO FREQUENCY POWER TRANSISTOR AND SELF-DEFINING METHOD TO MANUFACTURE SUCH PROTECTION DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/031883    International Application No.:    PCT/EP2001/011168
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 26.09.2001
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventors: MAGNEE, Petrus, H., C.; (NL).
VAN RIJS, Freerk; (NL).
HUIZING, Hendrik, G., A.; (NL)
Agent: DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.v. Prof Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
00203491.6 08.10.2000 EP
Title (EN) PROTECTION DIODE FOR IMPROVED RUGGEDNESS OF A RADIO FREQUENCY POWER TRANSISTOR AND SELF-DEFINING METHOD TO MANUFACTURE SUCH PROTECTION DIODE
(FR) DIODE DE PROTECTION AMELIORANT LA ROBUSTESSE D'UN TRANSISTOR DE PUISSANCE RADIOFREQUENCE, ET PROCEDE AUTO-DEFINI DE FABRICATION DE CETTE DIODE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor arrangement including: a substrate having a substrate layer (13) with an upper and lower surface, the substrate layer (13) being of a first conductivity type; a first buried layer (12) in the substrate, extending along said lower surface below a first portion of said upper surface of said substrate layer (13), and a second buried layer (12) in the substrate, extending along said lower surface below a second portion of said upper surface of said substrate layer (13); a first diffusion (26) in said first portion of said substrate layer (13), being of a second conductivity type opposite to said first conductivity type and having a first distance to said first buried layer (12) for defining a first breakdown voltage between said first diffusion (26) and said first buried layer (12); a second diffusion (45) in said second portion of said substrate layer (13), being of said second conductivity type and having a second distance to said second buried layer (12) for defining a second breakdown voltage between said second diffusion (45) and said second buried layer (12); said first distance being larger than said second distance such that said first breakdown voltage is larger than said second breakdown voltage.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat muni d'une couche de substrat (13) possédant une surface supérieure et inférieure, cette couche de substrat (13) présentant un premier type de conductivité, une première couche enterrée (12) située dans le substrat et se prolongeant sur la surface inférieure en dessous d'une première partie de la surface supérieure de la couche de substrat (13), une seconde couche enterrée (12) située dans le substrat et se prolongeant sur ladite surface inférieure en dessous d'une seconde partie de la surface supérieure de la couche de substrat (13), une première zone de diffusion (26) se trouvant dans la première partie de la couche de substrat (13) et présentant un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, une première distance la séparant de la première couche enterrée (12), d'où la production d'une première tension de claquage entre la première zone de diffusion (26) et la première couche enterrée (12), ainsi qu'une seconde zone de diffusion (45) se trouvant dans ladite seconde partie de la couche de substrat (13) et présentant un second type de conductivité, une seconde distance la séparant de la seconde couche enterrée (12), d'où la production d'une seconde tension de claquage entre la seconde zone de diffusion (45) et la seconde couche enterrée (12), la première distance étant plus importante que cette seconde distance de façon que la première tension de claquage soit plus importante que la seconde tension de claquage.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)