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1. (WO2002031867) ELECTRONIC STRUCTURE HAVING IN-SITU RESISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/031867    International Application No.:    PCT/GB2001/004430
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 05.10.2001
Chapter 2 Demand Filed:    12.12.2001    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 41 North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only)
Inventors: CABRAL, Cyril, Jr.; (US).
CLEVENGER, Lawrence; (US).
HSU, Louis, Lu-Chen; (US).
WONG, Kwong, Hon; (US)
Agent: RICHARDS, John, Peter; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Priority Data:
09/686,742 11.10.2000 US
Title (EN) ELECTRONIC STRUCTURE HAVING IN-SITU RESISTORS
(FR) STRUCTURE ELECTRONIQUE POSSEDANT DES RESISTANCES IN-SITU
Abstract: front page image
(EN)Electronic structure that has in-situ formed resistors consists of a first plurality of conductive elements formed in an insulating material layer, a plurality of electrically resistive vias formed on top and in electrical communication with at least one of the first plurality of conductive elements, and a second plurality of conductive elements formed on top of and in electrical communication with at least one of the plurality of electrically resistive vias. The structure may further be formed in a multi-level configuration such that multi-level resistors may be connected in-series to provide larger resistance values. The structure may be combined with a capacitor network to form RC circuits.
(FR)L'invention concerne une structure électronique qui possède des résistances formées in-situ, laquelle structure consiste en une première pluralité d'éléments conducteurs formés dans une couche de matériau isolant, une pluralité de fentes résistives électriquement formées sur et en communication électrique avec au moins un élément de la première pluralité d'éléments conducteurs, et une seconde pluralité d'éléments conducteurs formés sur et en communication électrique avec au moins une fente de la pluralité de fentes résistives électriquement. Cette structure peut également posséder une configuration à niveaux multiples, de manière que des résistances à niveaux multiples puissent être reliées en séries pour fournir des valeurs de résistance supérieures. Cette structure peut être combinée avec un réseau de condensateur pour former des circuits RC.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)