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1. (WO2002031850) GATED ELECTRON FIELD EMITTER HAVING AN INTERLAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/031850    International Application No.:    PCT/US2001/023844
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 30.07.2001
Chapter 2 Demand Filed:    03.05.2002    
IPC:
H01J 3/02 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Applicants: EXTREME DEVICES INCORPORATED [US/US]; 3500 Comsouth Drive Austin, TX 78744 (US)
Inventors: JAMISON, Keith, D.; (US).
PATTERSON, Donald, E.; (US).
HONG, Charlie; (US).
SCHUELLER, Randolph, D.; (US).
HEBERT, David, F.; (US).
WOODIN, Richard, L.; (US)
Agent: COOKE, Claude, E., Jr.; Baker Botts L.L.P. 910 Louisiana Houston, TX 77002 (US)
Priority Data:
09/684,107 06.10.2000 US
Title (EN) GATED ELECTRON FIELD EMITTER HAVING AN INTERLAYER
(FR) EMETTEUR DE CHAMP ELECTRONIQUE A DECLENCHEMENT POSSEDANT UNE COUCHE INTERMEDIAIRE
Abstract: front page image
(EN)A field emitter (10) having improved electron emission properties is provided. Electron-emitting microtip protrusions (14) in an emitter layer (12) are separated from a dielectric layer (18) by an interlayer (16) that prevents substantial mixing of the dielectric (16) and the emitter layer (12) during growth of the dielectric layer (18). A conductive gate electrode layer (20) is deposited on the dielectric layer (18). For carbon-based emitters, alumunum is one of several suitable interlayers between the carbon layer and a silicon dioxide dielectric layer.
(FR)La présente invention concerne un émetteur (10) de champ qui possède des propriétés améliorées d'émission électronique. Des protubérances (14) de micropointes d'émission électronique dans une couche (12) d'émetteur sont séparées d'un diélectrique intercouches (18) par une couche intermédiaire (16) qui empêche le mélange sensible du diélectrique (16) et de la couche d'émetteur (12) pendant la croissance de la couche diélectrique (18). Une couche (20) gâchette conductrice est déposée sur la couche (18) diélectrique. Pour les émetteurs à base de carbone, l'aluminium est une couche intermédiaire parmi plusieurs couches qui convient entre la couche de carbone et une couche diélectrique de dioxyde de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)