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1. (WO2002031234) CRYSTAL GROWTH APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/031234    International Application No.:    PCT/JP2001/008810
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 05.10.2001
IPC:
C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/14 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0023 (JP) (For All Designated States Except US).
KUBO, Takayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAHIGASHI, Fumio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASANO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAOKA, Naohiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KUBO, Takayuki; (JP).
KAWAHIGASHI, Fumio; (JP).
ASANO, Hiroshi; (JP).
TAKAOKA, Naohiro; (JP)
Agent: UBUKATA, Motoshige; 6-15, Kawaramachi 4-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 541-0048 (JP)
Priority Data:
2000-309107 10.10.2000 JP
Title (EN) CRYSTAL GROWTH APPARATUS
(FR) APPAREIL DE CROISSANCE DE CRISTAL
Abstract: front page image
(EN)A crystal growth apparatus used for the manufacture of silicon single crystal or the like used as a semiconductor material, and used for high-speed pulling which comprises a cooler (10) surrounding a single crystal (8). The cooler (10) is formed of a copper series metal and cooled with water. A support arm (12) which supports this cooler (10) has a mechanical strength higher than a copper series metal and is formed of stainless steel or the like of inferior thermal conductivity, and coupled with the cooler (10) so as to be detached. The overcooling of the support arm (12) is prevented as well as first dislocation generation caused by the deposition of silicon oxide. Therefore, a dislocation-free pulling rate improves without obstructing speedup, so that the cost of manufacturing the cooler (10) decreases to improve the support strength of the cooler (10).
(FR)Cette invention se rapporte à un appareil de croissance de cristal, servant à la fabrication de monocristal de silicium ou similaire utilisé comme matériau semi-conducteur et servant au tirage de cristal à haute vitesse, cet appareil comprenant un refroidisseur (10) entourant un monocristal (8). Le refroidisseur (10) est formé d"un métal de la série du cuivre et il est refroidi par de l"eau. Un bras de support (12) qui soutient le refroidisseur (10) possède une résistance mécanique supérieure à celle du métal de la série du cuivre et il est formé d"acide inoxydable ou d"un matériau similaire de conductivité thermique inférieure, et il est couplé au refroidisseur (10) de façon à pouvoir en être détaché. On empêche le sur-refroidissement du bras de support (12) ainsi que la création d"une première dislocation causée par le dépôt d"oxyde de silicium. Ainsi, la vitesse de tirage sans dislocation augmente sans empêcher l"accélération, ce qui permet de réduire le coût de fabrication du refroidisseur (10), pour augmenter la résistance de support du refroidisseur (10).
Designated States: DE, KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)