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1. (WO2002031215) METHOD OF FORMING INDIUM TIN OXIDE FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/031215    International Application No.:    PCT/US2001/032076
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 12.10.2001
Chapter 2 Demand Filed:    10.05.2002    
IPC:
C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01)
Applicants: PLASMION CORPORATION [US/US]; 50 Harrison Street, Hoboken, NJ 07030 (US)
Inventors: KIM, Steven; (US).
KIM, Daeil; (US)
Agent: RODRIGUEZ, Douglas, X.; Morgan, Lewis & Bockius LLP, 1111 Pennsylvania Avenue, NW, Washington, DC 20004 (US)
Priority Data:
60/239,915 13.10.2000 US
09/742.331 22.12.2000 US
Title (EN) METHOD OF FORMING INDIUM TIN OXIDE FILM
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE COUCHE MINCE D'OXYDE D'ETAIN ET D'INDIUM PAR UTILISATION D'UNE SOURCE DE PULVERISATION IONIQUE NEGATIVE A MAGNETRON
Abstract: front page image
(EN)A method for forming an indium tin oxide thin film on a substrate in the present invention includes the steps of introducing a mixture of an inert gas (30) and a low electron affinity element (8) in close proximity to a target (4) as a primary sputter ion beam source, providing an oxygen gas between the target and the substrate, applying an electrical energy to the target to ionize the mixture, confining electrons generated in the ionization in close proximity to a surface of the target facing towards the substrate, disintegrating negatively charged ions from the target, and forming the indium tin oxide thin film on the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche mince d'oxyde d'étain et d'indium sur un substrat consistant à introduire un mélange d'un gaz inerte et d'un élément à faible affinité électronique à proximité d'une cible, source de faisceau ionique de pulvérisation primaire, à fournir de l'oxygène gazeux entre la cible et le substrat, à appliquer de l'énergie électrique à la cible afin d'ioniser le mélange, à confiner les électrons produits dans l'ionisation à proximité d'une surface de la cible faisant face au substrat, à désintégrer des ions chargés négativement provenant de la cible, et à former la couche mince d'oxyde d'étain et d'indium sur le substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)