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1. (WO2002030618) ACTIVATED SLURRY CMP SYSTEM AND METHODS FOR IMPLEMENTING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/030618    International Application No.:    PCT/US2001/030829
Publication Date: 18.04.2002 International Filing Date: 02.10.2001
Chapter 2 Demand Filed:    22.04.2002    
IPC:
B24B 1/00 (2006.01), B24B 53/007 (2006.01), B24B 53/017 (2012.01), B24B 57/00 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538 (US)
Inventors: GOTKIS, Yehiel; (US)
Agent: PENILLA, Albert, S.; Martine & Penilla, LLP Suite 170 710 Lakeway Drive Sunnyvale, CA 94085 (US)
Priority Data:
09/684,765 06.10.2000 US
Title (EN) ACTIVATED SLURRY CMP SYSTEM AND METHODS FOR IMPLEMENTING THE SAME
(FR) SYSTEME D'APLANISSEMENT CHIMIOMECANIQUE ACTIVE PAR DES BOUES ET SES PROCEDES DE MISE EN OEUVRE
Abstract: front page image
(EN)A method for enhancing the material removal rate of an upper layer of a wafer in chemical mechanical planarization (CMP) systems (200a) is provided. The method includes applying radiation to an amount of slurry (218) before the slurry (218) is applied to the upper layer of the wafer (202). In one example, the method also includes providing a polishing pad (208) and a carrier head configured to hold the wafer (202). The method further includes creating a mechanical polishing interface between the polishing pad (208), the upper layer of the wafer, and the radiation exposed slurry (218) by bringing the polishing pad (208) and the carrier head into contact.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'améliorer la vitesse de retrait d'un matériau de couche supérieure de tranche à l'aide d'un système (200a) d'aplanissement chimiomécanique (CMP). Ce procédé consiste à appliquer un rayonnement sur une quantité de boues (218), avant son application sur la couche supérieure de la tranche (202). Selon un exemple, ledit procédé consiste à fournir un tampon de polissage (208) et une tête de support configurée de façon à supporter la tranche (202). Il consiste également à créer une interface de polissage mécanique entre le tampon de polissage (208), la couche supérieure de la tranche, et la boue (218) exposée au rayonnement par contact du tampon de polissage (208) avec la tête de support.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)