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1. (WO2002029949) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROTECTIVE FUNCTIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/029949    International Application No.:    PCT/JP2001/008419
Publication Date: 11.04.2002 International Filing Date: 27.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    26.04.2002    
IPC:
H01L 27/02 (2006.01), H03K 17/08 (2006.01), H03K 17/082 (2006.01), H03K 17/785 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD. [JP/JP]; 1048, Oaza-Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8686 (JP) (For All Designated States Except US).
NOBE, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIYAMA, Shigeo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FURUMOTO, Noriteru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUNADA, Takuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NOBE, Takeshi; (JP).
AKIYAMA, Shigeo; (JP).
FURUMOTO, Noriteru; (JP).
SUNADA, Takuya; (JP)
Agent: AOYAMA, Tamotsu; AOYAMA & PARTNERS IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Priority Data:
2000-300894 29.09.2000 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROTECTIVE FUNCTIONS
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR AVEC FONCTIONS PROTECTRICES
Abstract: front page image
(EN)ABSTRACTThe semiconductor device is inserted between a power source and a load. A current flowing between an external drain terminal D and an external source terminal S is controlled in accordance with a control voltage applied between an external gate terminal G and the external source terminal S. In addition, the semiconductor device has a main MOSFET 1 and a detecting MOSFET 2 each of which is inserted between the external drain terminal D and the external source terminal S, a protective circuit 3 which protects the main MOSFET 1 by a protective transistor 5 when the abnormality is detected thereby, and an impedance element 4 inserted between the protective MOSFET 5, and a junction connecting the external gate terminal G to a gate electrode of the detecting MOSFET 2.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est inséré entre une source de puissance et une charge. Un courant, passant entre une borne de drain extérieure (D) et une borne de source extérieure (S), est commandé en fonction d'une tension de commande appliquée entre une borne de grille extérieure (G) et la borne de source extérieure (S). En outre, ce dispositif à semi-conducteur possède un transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur (MOSFET) principal (1) et un transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur de détection (2), chacun inséré entre la borne de drain extérieure (D) et la borne de source extérieure (S), un circuit protecteur (3) qui protège le transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur principal (1) à l'aide d'un transistor protecteur (5) lorsque ce dernier détecte l'anormalité, un élément d'impédance (4) inséré entre le transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur protecteur (5), et une jonction reliant la borne de grille extérieure (G) à une électrode de grille du transistor à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur de détection (2).
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (DE, GB).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)