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1. (WO2002029904) RECEIVING OPTICS AND PHOTOSEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/029904    International Application No.:    PCT/JP2001/008481
Publication Date: 11.04.2002 International Filing Date: 27.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    02.11.2001    
IPC:
H01L 31/103 (2006.01), H01L 31/173 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01), H01L 25/16 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/022 (2006.01)
Applicants: SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihanhondori 2-chome Moriguchi-shi, Osaka 570-0083 (JP) (For All Designated States Except US).
TOTTORI SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 201, Minamiyoshikata 3-chome Tottori-shi, Tottori 680-8634 (JP) (For All Designated States Except US).
NISHIMURA, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HONDA, Shoji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
Ueyama, Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NISHIMURA, Susumu; (JP).
HONDA, Shoji; (JP).
Ueyama, Koji; (JP)
Agent: SANO, Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 540-0032 (JP)
Priority Data:
2000-298651 29.09.2000 JP
2000-385598 19.12.2000 JP
2001-159229 28.05.2001 JP
Title (EN) RECEIVING OPTICS AND PHOTOSEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME
(FR) SYSTEME OPTIQUE DE RECEPTION ET DISPOSITIF OPTIQUE A SEMICONDUCTEUR EQUIPE DE CE DERNIER
Abstract: front page image
(EN)A receiving optics having a photodiode as a receiving region formed on a part of a semiconductor substrate and, provided on a part of the semiconductor substrate other than the receiving region, an electrode for arranging a light emitting element, characterized in that a high concentration impurity layer is provided under the surface of the semiconductor substrate along the perimeter of the electrode for arranging a light emitting element. The high concentration impurity layer prevents the undesirable effect of the voltage applied to the electrode for arranging a light emitting element on the output of the receiving optics. A photosemiconductor device which has a light emitting element and a receiving optics, and has a receiving region provided parallel with the direction of emission in the light emitting element, characterized in that in plane view, the light emitting element is arranged so as for the emitting point thereof to overlap with at least a part of the receiving region. In the photosemiconductor device, the operation for attaching a light emitting element is easy even when it has a low emitting point and the variation of light receiving sensitivity is suppressed.
(FR)L'invention concerne un système optique de réception présentant une photodiode servant de région réceptrice formée sur une partie d'un substrat semiconducteur ainsi que, placée sur une partie dudit substrat différente de la région réceptrice, une électrode permettant de disposer un élément électroluminescent. Ce système optique est caractérisé en ce qu'une couche d'impuretés à haute concentration est placée sous la surface du substrat semiconducteur le long du périmètre de ladite électrode. Cette couche empêche les effets indésirables de la tension appliquée à l'électrode sur la sortie du système optique de réception. L'invention concerne également un dispositif optique à semiconducteur présentant un élément électroluminescent et un système optique de réception. Ce dispositif comporte une région réceptrice parallèle à la direction d'émission dans l'élément électroluminescent. Ce dispositif est caractérisé en ce que, vu de dessus, l'élément électroluminescent est placé de sorte que son point d'émission recouvre au moins une partie de la région réceptrice. Dans ce dispositif optique à semiconducteur, la fixation de l'élément électroluminescent est aisée, même lorsque ce dernier présente un point d'émission bas. En outre, la sensibilité à la réception de la lumière ne varie plus.
Designated States: CA, CN, ID, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)