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1. (WO2002029896) CMOS IMAGER WITH DISCHARGE PATH TO SUPPRESS RESET NOISE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/029896    International Application No.:    PCT/US2001/031229
Publication Date: 11.04.2002 International Filing Date: 04.10.2001
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: CONEXANT SYSTEMS, INC. [US/US]; 4311 Jamboree Road, Newport Beach, CA 92660-3095 (US)
Inventors: MANN, Richard, A.; (US)
Agent: RUBIO-CAMPOS, Francisco, A.; Sonnenschein Nath & Rosenthal, P.O. Box 061080, Wacker Drive Station, Sears Tower, Chicago, IL 60606-1080 (US)
Priority Data:
09/680,037 05.10.2000 US
Title (EN) CMOS IMAGER WITH DISCHARGE PATH TO SUPPRESS RESET NOISE
(FR) IMAGEUR CMOS POURVU D'UNE VOIE DE DECHARGE POUR SUPPRIMER LE BRUIT DE REINITIALISATION
Abstract: front page image
(EN)An image sensor (100) having a photo-detector (202) and a reset contact (116) that are electrically connected by a discharge path (306) disposed between the reset contact and the photo-detector. The photo-detector has a depletion region for receiving and collecting radiation charges that are discharged through the discharge path to the reset contact. The reset of the photo-detector to a known potential is achieved by applying a high reset voltage to the reset voltage to the reset contact that causes a reset depletion region (302) to form beneath the reset contact. The outer perimeter of the restdepletion region defines a reset junction (304). The reset junction and the photo-dector junction are of the same polarity. As the high reset voltage is increased at the reset junction, the reset depletion region merges via punch through with the photo-detector's depletion region to create the discharge path. The kTC noise associated with the reset through a MOSFET switch is eliminated as the charge is transferred through the merging of two depletion areas.
(FR)L'invention concerne un capteur d'image comportant un photodétecteur et un contact de réinitialisation qui sont connectés électriquement par une voie de décharge disposé entre le contact de réinitialisation et le photodétecteur. Le photodétecteur comporte une zone de déplétion destinée à recevoir et à collecter des charges de rayonnement qui sont déchargées par la voie de décharge sur le contact de réinitialisation. Dans une mise en oeuvre, la réinitialisation du photodétecteur à un potentiel connu est réalisée au moyen de l'application d'une haute tension de réinitialisation au contact de réinitialisation, ce qui provoque la formation d'une zone de déplétion de réinitiaisation au-dessous du contact de réinitialisation. Le périmètre extérieur de la zone de déplétion de réinitialisation définit une jonction de réinitialisation. La jonction de réinitialisation et la jonction de photodétecteur sont de même polarité. A mesure que la haute tension de réinitialisation est augmentée à la jonction de réinitialisation, la zone de déplétion de réinitialisation fusionne avec la zone de déplétion du photodétecteur au moyen d'un claquage, afin de créer la voie de décharge. La tension sur le contact de réinitialisation est augmentée au-delà du potentiel attendu du photodétecteur, de sorte qu'une différence de potentiel soit établie à travers la voie de décharge et que les charges soient éliminées par balayage du photodétecteur par la voie de décharge. A la fin de la réinitialisation, le potentiel sur la jonction de réinitialisation est réduit, les zones de déplétion se séparent et le photodétecteur reste avec un potentiel fixe. Ainsi, le bruit de kTC associé à la réinitialisation à travers un commutateur MOSFET est éliminé dès lors que la charge est transférée à travers la fusion des deux zones de déplétion.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)