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1. (WO2002029887) ONE-STEP ETCH PROCESSES FOR DUAL DAMASCENE METALLIZATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/029887    International Application No.:    PCT/US2001/026998
Publication Date: 11.04.2002 International Filing Date: 30.08.2001
Chapter 2 Demand Filed:    29.04.2002    
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street San Jose, CA 95112-4508 (US)
Inventors: LU, Zhijian; (US).
NING, Xian, J.; (US).
YIN, Xiaoming; (US)
Agent: BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation - Intellectual Property Dept. 186 Wood Ave. South Iselin, NJ 08830 (US).
EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26 80034 München (DE)
Priority Data:
09/675,827 29.09.2000 US
Title (EN) ONE-STEP ETCH PROCESSES FOR DUAL DAMASCENE METALLIZATION
(FR) PROCEDES DE REALISATION DE GRAVURE EN UNE ETAPE POUR METALLISATION A DOUBLE DAMASQUINAGE
Abstract: front page image
(EN)A method for forming a dual damascene structure, employs the steps of forming a dielectric layer (14), patterning a first resist layer (16) on the dielectric layer to form a via pattern (26) and patterning a second resist layer (28) to form a line pattern (38) in communication with the via pattern formed on the first resist layer wherein the first resist layer includes exposed portions adjacent to the via pattern. The first resist layer, the second resist layer and the dielectric layer are etched such that the dielectric layer has a via (40) formed therein which gets deeper during the etching process. The dielectric layer has a trench (42) formed therein in communication with the via which gets deeper after the exposed portions of the first resist layer are consumed by the etching process.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une structure double damascène. Ce procédé consiste à former une couche diélectrique (14), à créer un motif dans une première couche de résine (16) déposée sur la couche diélectrique afin de former un motif de trous d'interconnexion (26), puis à créer un motif sur une seconde couche de résine (28) afin de former un motif de ligne (38) communiquant avec le motif de trous d'interconnexion formé sur la première couche de résine, laquelle comprend des parties exposées adjacentes au motif de trous d'interconnexion. La première couche de résine, la seconde couche de résine et la couche diélectrique sont gravées de manière que la couche diélectrique comporte un trou d'interconnexion (40) devenant plus profond pendant le procédé de réalisation de gravure. La couche diélectrique comprend une tranchée (42) communiquant avec le trou d'interconnexion qui devient plus profond après que les parties exposées de la première couche de résine ont été consommées par le procédé de réalisation de gravure.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)