WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2002029878) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF DIELECTRIC MATERIALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/029878    International Application No.:    PCT/US2001/030109
Publication Date: 11.04.2002 International Filing Date: 26.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    26.04.2002    
IPC:
H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: RODEL HOLDINGS, INC. [US/US]; Suite 1300 1105 North Market Street Wilmington, DE 19899 (US)
Inventors: COOK, Lee, Melbourne; (US).
OLIVER, Michael, R.; (US)
Agent: BENSON, Kenneth, A.; Rodel Holdings, Inc. Suite 1300 1105 North Market Street Wilmington, DE 19899 (US)
Priority Data:
60/237,463 02.10.2000 US
Title (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF DIELECTRIC MATERIALS
(FR) POLISSAGE CHIMIQUE ET MECANIQUE DE MATERIAUX DIELECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor wafer (1) has, an underlying dielectric layer (3) with non-planarity features at its surface due to damascene topology, and a successive dielectric layer (9) that is without damascene topology overlying the first dielectric layer (3), the successive dielectric layer (9) having a smooth polished planar surface (10) that minimizes cumulative non-planarity. The surface is polished by chemical-mechanical planarization with a reactive liquid borne by an aqueous polishing fluid applied at an interface of the successive dielectric layer (3) and a polishing pad.
(FR)L'invention concerne une tranche de semi-conducteur (1) possédant une couche diélectrique sous-jacente (3) présentant des caractéristiques de non planarité sur sa surface en raison d'une topologie damasquinée et une couche diélectrique successive (9) qui ne possède pas de topologie damasquinée recouvrant la première couche diélectrique (3). La couche diélectrique successive (9) possède une surface planaire polie et lisse (10) qui réduit au minimum la non planarité cumulée. La surface est polie grâce à une planarisation chimique et mécanique au moyen d'un liquide réactif porté par un fluide de polissage aqueux appliqué sur une interface de la couche diélectrique successive (3) et un élément de polissage.
Designated States: JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)