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1. (WO2002029874) METHOD OF FABRICATING AN OXIDE LAYER ON A SILICON CARBIDE LAYER UTILIZING N¿2?O
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/029874    International Application No.:    PCT/US2001/042414
Publication Date: 11.04.2002 International Filing Date: 01.10.2001
Chapter 2 Demand Filed:    01.04.2002    
IPC:
H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 (US)
Inventors: LIPKIN, Lori; (US).
DAS, Mrinal, Kanti; (US).
PALMOUR, John, W.; (US)
Agent: O'SULLIVAN, Timothy, J.; Myers, Bigel, Sibley & Sajovec, P.A. P.O. Box 37428 Raleigh, NC 27627 (US)
Priority Data:
60/237,822 03.10.2000 US
60/237,426 03.10.2000 US
09/834,283 12.04.2001 US
60/294,307 30.05.2001 US
Title (EN) METHOD OF FABRICATING AN OXIDE LAYER ON A SILICON CARBIDE LAYER UTILIZING N¿2?O
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE COUCHE D'OXYDE SUR UNE COUCHE DE CARBURE DE SILICIUM AU MOYEN DE N¿2?O
Abstract: front page image
(EN)Methods for fabricating a layer of oxide on a silicon carbide layer are provided by forming the oxide layer by at least one of oxidizing the silicon carbide layer in an N¿2?O environment or annealing an oxide layer on the silicon carbide layer in an N¿2?O environment. Preferably, a predetermined temperature profile and a predetermined flow rate profile of N¿2?O are providing during the oxidation or the anneal. The predetermined temperature profile and/or predetermined flow rate profile may be constant or variable and may include ramps to steady state conditions. The predetermined temperature profile and/or the predetermined flow rate profile are selected so as to reduce interface states of the oxide/silicon carbide interface with energies near the conduction band of SiC.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une couche d'oxyde sur une couche de carbure de silicium. Selon ce procédé, la couche d'oxyde est formée soit par oxydation de la couche de carbure de silicium dans un environnement N¿2?O soit par recuisson d'une couche d'oxyde sur la couche de carbure de silicium dans un environnement N¿2?O. Un profil de température prédéterminé et un profil de débit prédéterminé de N¿2?O sont de préférence définis pendant l'oxydation ou la recuisson. Ce profil de température prédéterminé et/ou ce profil de débit prédéterminé, qui peuvent être constants ou variables, peuvent comprendre des rampes vers des états stationnaires. Lesdits profils sont sélectionnés de manière à réduire des états d'interface de l'interface oxyde/carbure de silicium à des niveaux d'énergie près de la bande de conduction du carbure de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)