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1. (WO2002029866) ELECTRON BEAM EXPOSURE SYSTEM AND METHOD FOR CALIBRATING IRRADIATING POSITION OF ELECTRON BEAM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/029866    International Application No.:    PCT/JP2001/008426
Publication Date: 11.04.2002 International Filing Date: 26.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    18.04.2002    
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), H01J 37/304 (2006.01)
Applicants: ADVANTEST CORPORATION [JP/JP]; 1-32-1, Asahi-cho Nerima-ku, Tokyo 179-0071 (JP) (DE only).
TAKAKUWA, Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKAKUWA, Masaki; (JP)
Agent: RYUKA, Akihiro; 6F Toshin Building 24-12, Shinjuku 1-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0022 (JP)
Priority Data:
2000-304242 03.10.2000 JP
Title (EN) ELECTRON BEAM EXPOSURE SYSTEM AND METHOD FOR CALIBRATING IRRADIATING POSITION OF ELECTRON BEAM
(FR) SYSTEME D'EXPOSITION DE FAISCEAU D'ELECTRONS ET PROCEDE PERMETTANT DE CORRIGER LA POSITION D'IRRADIATION DU FAISCEAU D'ELECTRONS
Abstract: front page image
(EN)An electron beam exposure system comprising an electron gun generating first and second electron beams, a first mark member (202) having a first width w1 in a direction substantially perpendicular to the irradiating directions of the first and second electron beams, a second mark member (204) having a second width w2, a section for deflecting the first and second electron beams independently, a section for controlling the deflecting section such that the time for the first electron beam to scan the first width w1 of the first mark member (202) is deviated from the time for the second electron beam to scan the second width w2 of the second mark member (204), and a section (210) for detecting electrons emitted or scattered from the first and second mark members (202, 204).
(FR)L'invention concerne un système d'exposition de faisceau d'électrons qui comprend un canon à électrons produisant un premier et un second faisceaux d'électrons, un premier élément de marque (202) possédant une première largeur w1 dans une direction sensiblement perpendiculaire aux directions d'irradiation des premier et second faisceaux d'électrons, un second élément de marque (204) possédant une seconde largeur w2, une section permettant de dévier les premier et second faisceaux d'électrons indépendamment, une section permettant de commander la section de déviation de façon que le temps que met le premier faisceau d'électrons pour balayer la première largeur w1 du premier élément de marque (202) soit dévié du temps que le second faisceau d'électrons met pour balayer la deuxième largeur w2 du second élément de marque (204), et une section (210) pour détecter les électrons émis ou diffusés par les premier et second éléments de marque (202, 204).
Designated States: DE, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)