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1. (WO2002029852) CHARGE-COUPLED IMAGE SENSOR COMPRISING GATE ELECTRODES INTERCONNECTED BY SHUNT ELECTRODES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/029852    International Application No.:    PCT/EP2001/011307
Publication Date: 11.04.2002 International Filing Date: 28.09.2001
IPC:
H01L 27/148 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventors: PEEK, Hemanus, L.; (NL).
MAAS, Joris, P., V.; (NL).
VERBUGT, Daniel, W., E.; (NL)
Agent: DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
00203460.1 04.10.2000 EP
Title (EN) CHARGE-COUPLED IMAGE SENSOR COMPRISING GATE ELECTRODES INTERCONNECTED BY SHUNT ELECTRODES
(FR) CAPTEUR D'IMAGES COUPLE A UNE CHARGE RENFERMANT DES ELECTRODES DE GRILLE INTERCONNECTEES PAR DES ELECTRODES DE DERIVATION
Abstract: front page image
(EN)A charge-coupled image sensor comprising a silicon body (1) wherein parallel channel regions (12), mutually separated by channel stop regions (16), are formed so as to be adjacent to a surface (2) of the body. The surface is provided with a gate dielectric (3, 4) composed of a silicon oxide layer (3) covered with a silicon nitride layer (4). Gate electrodes (18, 21, 33) of polycrystalline silicon are formed on the gate dielectric, which gate electrodes cross the channel regions and the channel stop regions. At least a number of the gate electrodes extend into diffusion holes (17), at the location where the gate electrodes and the channel stop regions intersect, which diffusion holes are formed in the silicon nitride layer of the gate dielectric. An insulating layer (24) of silicon oxide is formed on all gate electrodes, said insulating layer being provided with shunt electrodes (27) situated above the channel stop regions. These shunt electrodes extend, in accordance with a pattern, in contact windows (25) formed in the insulating layer. Windows (23, 36) are formed in the silicon nitride top layer (20, 34), which windows are in line with the diffusion holes. A number of these windows coincide with contact windows formed in the insulating layer and are filled with polycrystalline silicon of the shunt electrodes, while the other windows are filled with silicon oxide of the insulating layer. In this image sensor, surface states that may be present at the interface of the channel zones and the gate dielectric can be passivated by means of a thermal treatment in hydrogen.
(FR)L'invention concerne un capteur d'images couplé à une charge comprenant un corps de silicium (1), des régions de canal parallèles (12), mutuellement séparées par des régions de butée de canal (16), étant formées de manière à être adjacentes à une surface (2) du corps. La surface présente un matériau diélectrique de grille (3, 4) renfermant une couche d'oxyde de silicium (3) recouverte d'une couche de nitrure de silicium (4). Des électrodes de grille (18, 21, 33) de silicium polycristallin sont formées sur le matériau diélectrique de grille, ces électrodes traversant les régions de canal et les régions de butée de canal. Au moins un certain nombre d'électrodes de grille s'étend dans des trous de diffusion (17), au niveau d'un emplacement dans lequel les électrodes de grille et les régions de butée de canal s'entrecoupent, les trous de diffusion étant formés dans la couche de nitrure de silicium du matériau diélectrique de grille. Une couche d'isolation (24) d'oxyde de silicium est formée sur toutes les électrodes de grille, cette couche présentant des électrodes de dérivation (27) situées au-dessus des régions de butée de canal. Les électrodes de dérivation s'étendent, conformément à un motif, dans des fenêtres de contact (25) formées dans la couche d'isolation. Des fenêtres (23, 36) sont formées dans la couche supérieure de nitrure de silicium (20, 34), ces fenêtres étant alignées avec les trous de diffusion. Un certain nombre de ces fenêtres coïncide avec des fenêtres de contact formées dans la couche d'isolation et sont remplies de silicium polycristallin des électrodes de dérivation, alors que les autres fenêtres sont remplies d'oxyde de silicium de la couche d'isolation. Dans ce capteur d'images, des états de surface pouvant être présents au niveau de l'interface des zones de canal et du matériau diélectrique de grille peuvent être passivés au moyen d'un traitement thermique dans l'hydrogène.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)