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1. (WO2002027922) BOOTSTRAPPED DUAL-GATE CLASS E AMPLIFIER CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027922    International Application No.:    PCT/EP2001/010872
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 18.09.2001
IPC:
H03F 1/22 (2006.01), H03F 3/217 (2006.01), H03K 17/10 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventors: SOWLATI, Tirdad; (NL)
Agent: DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
09/671,911 28.09.2000 US
Title (EN) BOOTSTRAPPED DUAL-GATE CLASS E AMPLIFIER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT AMPLIFICATEUR DE CLASSE E A DOUBLE PORTE DE LANCEMENT
Abstract: front page image
(EN)A bootstrapped dual-gate Class E amplifier circuit (1) includes a first MOSFET (10) and a second MOSFET (12) connected in series and coupled between a dc voltage source terminal (14) and a common terminal (gnd). An rf input signal terminal (18) is coupled to a gate electrode of the first MOSFET (10) and a dc control voltage terminal (26) is coupled to a gate electrode of the second MOSFET (12), with a unidirectionally-conducting element (32) such as a diode-connected MOSFET being coupled between a drain electrode and the gate electrode of the second MOSFET (12). The output of the amplifier circuit (1) is taken from the drain electrode of the second MOSFET (12). This circuit configuration permits the first and second MOSFETs to withstand a larger output voltage swing, thus permitting the use of a higher supply voltage and resulting in a substantially increased maximum output power capability for a given load value.
(FR)L'invention concerne un circuit amplificateur de classe E à double porte de lancement (1) comportant un premier MOSFET (10) et un second MOSFET (12) connectés en série et couplés entre un terminal de source de tension continue (14) et un terminal commun (terre). Un terminal de signal d'entrée rf (18) est couplé à une électrode de porte du premier MOSFET (10) et un terminal de tension de commande continue (26) est couplé à une électrode de porte du second MOSFET (12), avec un élément unidirectionnellement conducteur (32) comme un MOSFET étant connecté à une diode entre une électrode de drainage et l'électrode de porte du second MOSFET (12). La sortie du circuit amplificateur (1) est prise à partir de l'électrode de drainage du second MOSFET (12). Cette configuration de circuit permet au premier et au second MOSFET de supporter une variation de tension de sortie plus importante autorisant ainsi l'utilisation d'une tension d'alimentation supérieure et offrant, en conséquence, une capacité de puissance de sortie maximale fortement augmenté pour une valeur de charge donnée.
Designated States: CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)