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1. (WO2002027908) HIGH OUTPUT POWER HIGH FREQUENCY RESONANT LOAD INVERTERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027908    International Application No.:    PCT/NO2001/000397
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 28.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    18.04.2002    
IPC:
H02M 7/48 (2007.01)
Applicants: EFD INDUCTION A.S. [NO/NO]; Bøleveien 10 N-3724 Skien (NO) (For All Designated States Except US).
KLEVELAND, Frode [NO/NO]; (NO) (For US Only)
Inventors: KLEVELAND, Frode; (NO)
Agent: LANGFELDT, Jens, F., C.; Bryns Zacco AS P.O. Box 765, Sentrum N-0106 Oslo (NO)
Priority Data:
20004938 29.09.2000 NO
Title (EN) HIGH OUTPUT POWER HIGH FREQUENCY RESONANT LOAD INVERTERS
(FR) ONDULEURS A CHARGE RESONANTE A FREQUENCE ET PUISSANCE DE SORTIE ELEVEES
Abstract: front page image
(EN)A new control strategy for IGBTs when used in high frequency (75 kHz - 500 kHz) high power (10 kW - 5 MW) inverters with series resonant load, a topology commonly used for induction heating. The strategy changes the IGBT strain elements into a total stress picture that fits the IGBT's behaviour and internal nature better. This makes the IGBT operate much more efficient, thus increasing the maximum output power from the inverter significantly compared to a standard control scheme. This makes the IGBT based inverter a much cheaper alternative than a MOSFET inverter, which has been state of the art for this application.
(FR)L'invention concerne une nouvelle stratégie de commande pour transistors bipolaires à porte isolée (IGBT), lorsque ces derniers sont utilisés dans des onduleurs à fréquence (75 kHz - 500 kHz) et puissance (10 kW - 5 MW) élevées, avec une charge résonante série, une topologie utilisée communément dans le chauffage par induction. Cette stratégie modifie les éléments de déformation de l'IGBT en une contrainte totale qui correspond mieux au comportement et à la nature de l'IGBT. Ceci permet à l'IGBT de fonctionner plus efficacement, augmentant ainsi considérablement la puissance de sortie maximale de l'onduleur en comparaison d'un schéma de commande classique. Ainsi, l'onduleur fonctionnant sur la base d'un IGBT représente une alternative meilleure marché que l'onduleur fonctionnant sur la base d'un transistor à effet de champ de semi-conducteur d'oxyde de métal (MOFSET), ce qui constituait l'état de la technique pour cette application.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)