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1. (WO2002027801) BODY CONSISTING OF SEMICONDUCTOR MATERIAL, COMPRISING A REDUCED MEAN FREE PATH LENGTH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027801    International Application No.:    PCT/EP2001/010751
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 17.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    11.04.2002    
IPC:
H01L 29/32 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Applicants: EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH & CO. KG [DE/DE]; Max-Planck-Strasse 5 59581 Warstein-Belecke (DE) (For All Designated States Except US).
KARTAL, Veli [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHULZE, Hans-Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KARTAL, Veli; (DE).
SCHULZE, Hans-Joachim; (DE)
Agent: SCHMUCKERMAIER, Bernhard; Westphal, Mussgnug & Partner Am Riettor 5 78048 Villingen-Schwenningen (DE)
Priority Data:
100 48 345.3 29.09.2000 DE
Title (DE) KÖRPER AUS HALBLEITERMATERIAL MIT REDUZIERTER MITTLERER FREIER WEGLÄNGE
(EN) BODY CONSISTING OF SEMICONDUCTOR MATERIAL, COMPRISING A REDUCED MEAN FREE PATH LENGTH
(FR) CORPS EN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR A LONGUEUR DE PARCOURS LIBRE MOYENNE REDUITE
Abstract: front page image
(DE)Körper (1) aus dotiertem Halbleitermaterial mit einem pn-Übergang (10) und einem Bereich (2) reduzierter mittlerer freier Weglänge ($g(l)r) für freie Ladungsträger, wobei der Bereich (2) Abschnitte (21, 22) aufweist, die in zumindest einer bestimmten Richtung (x, y, z) aufeinanderfolgen und zwischen denen zumindest ein Gebiet (23) vorhanden ist, in welchem eine relativ zur reduzierten mittleren freien Weglänge ($g(l)r) größere mittlere freie Weglänge ($g(l)0) für die freien Ladungsträger herrscht.
(EN)The invention relates to a body (1) consisting of a doped semiconductor material with a pn junction (10) and an area (2) of reduced mean free path length ($g(l)r) for free charge carriers. Said area (2) has sections (21, 22) which succeed each other in at least one specified direction (x, y, z) and between which there is at least one region (23), containing a mean free path length ($g(l)0) for the free charge carriers that is larger in relation to the reduced mean free path length ($g(l)r).
(FR)L'invention concerne un corps (1) constitué d'un matériau semi-conducteur dopé pourvu d'une jonction PN (10) et d'une zone (2) de longueur de parcours libre moyenne réduite ($g(l)r) pour porteurs de charge libres. Cette zone (2) comprend des sections (21, 22) consécutives dans au moins un sens déterminé (x, y, z) et entre lesquelles se trouve au moins une région (23) dans laquelle règne pour les porteurs de charge libres une longueur de parcours libre moyenne ($g(l)0) supérieure à la longueur de parcours libre moyenne réduite ($g(l)r).
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)