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1. (WO2002027800) TRENCH DMOS TRANSISTOR HAVING LIGHTLY DOPED SOURCE STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027800    International Application No.:    PCT/US2001/029230
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 19.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    26.04.2002    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 10 Melville Park Rd., Melville, NY 11747 (US)
Inventors: HSHIEH, Fwu-luan; (US).
SO, Koon, Chong; (US).
TSUI, Yan, Man; (US)
Agent: MAYER, Stuart, H.; Mayer Fortkort & Williams, PC, 2nd Floor, 251 North Avenue West, Westfield, NJ 07090 (US)
Priority Data:
09/672,209 28.09.2000 US
Title (EN) TRENCH DMOS TRANSISTOR HAVING LIGHTLY DOPED SOURCE STRUCTURE
(FR) TRANSISTOR DMOS A TRANCHEES COMPRENANT UNE STRUCTURE A SOURCE LEGEREMENT DOPEE
Abstract: front page image
(EN)A trench DMOS transistor cell includes a substrate of a first conductivity type and a body region located on the substrate, which has a second conductivity type. At least one trench extends through the body region and the substrate. An insulating layer lines the trench and a conductive electrode is placed in the trench overlying the insulating layer. A source region of the first conductivity type is located in the body region adjacent to the trench. The source region includes a first layer and a second layer disposed over th first layer. The first layer has a lower dopant concentration of the first conductivity type relative to the dopant concentration of the second layer.
(FR)L'invention concerne une cellule de transistor DMOS à tranchées comprenant un substrat présentant un premier type de conductivité et une zone située sur le substrat présentant un second type de conductivité. Au moins une tranchée traverse ladite zone et le substrat. Une couche isolante recouvre la tranchée et une électrode conductrice est placée dans le tranchée, sur la couche isolante. Une zone source présentant le premier type de conductivité est située sans la zone adjacente à la tranchée. Cette zone source comprend une première couche et une seconde couche située sur la première couche. La première couche a une concentration en dopant présentant le premier type de conductivité inférieure à celle de la seconde couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)