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1. (WO2002027783) PREPARATION OF A RELAXED SiGe LAYER ON AN INSULATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027783    International Application No.:    PCT/GB2001/004321
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 27.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    12.11.2001    
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 41 North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only)
Inventors: CANAPERI, Donald; (US).
CHU, Jack, Oon; (US).
D'EMIC, Christopher; (US).
HUANG, Lijuan; (US).
OTT, John, Albert; (US).
WONG, Hon-Sum, Philip; (US)
Agent: RICHARDS, John, Peter; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Priority Data:
09/675,840 29.09.2000 US
Title (EN) PREPARATION OF A RELAXED SiGe LAYER ON AN INSULATOR
(FR) PREPARATION D'UNE COUCHE DE SiGe RELACHEE SUR UN ISOLANT
Abstract: front page image
(EN)A method for forming strained Si or SiGe on relaxed SiGe on insulator (74) (SGOI) is described incorporating growing a graded Si¿1-x? Ge¿x? layer (20) and an epitaxial Si¿1-y? Ge¿y? layer on a semiconductor substrate, implanting hydrogen (70) into said Si¿1-y? Ge¿y? layer (30) to form a hydrogen-rich defective layer, smoothing surfaces by Chemo-Mechanical Polishing, bonding two substrates together via thermal treatments and separating the two bonded substrates at the hydrogen-rich defective layer. The separated substrates may have its upper surface (75) smoothed by CMP for epitaxial deposition of further layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une couche contrainte de Si ou de SiGe sur un isolant SiGe relâché (74) (SGOI) comprenant la croissance d'une couche de Si¿1-x?Ge¿x? aplanie (20) et une couche épitaxiale de Si¿1-y? Ge¿y? sur un substrat semi-conducteur, l'implantation de l'hydrogène (70) dans ladite couche de Si¿1-y? Ge¿y ?(30)¿ ?en vue de former une couche déficiente riche en hydrogène, l'aplanissement des surfaces par polissage chemomécanique, le collage de deux substrats au moyen de traitements thermiques et la séparation des deux substrats collés au niveau de la couche déficiente enrichie en hydrogène. On peut procéder au polissage du substrat séparé à sa surface supérieure (75) par polissage chemomécanique pour le dépôt épitaxial de couches additionnelles.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)