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1. (WO2002027774) METHOD OF DISORDERING QUANTUM WELL HETEROSTRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027774    International Application No.:    PCT/AU2001/001216
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 28.09.2001
IPC:
H01L 21/18 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01S 5/34 (2006.01)
Applicants: THE AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY [AU/AU]; Acton, Australian Capital Territory 2601 (AU) (For All Designated States Except US).
FU, Lan [CN/AU]; (AU) (For US Only).
TAN, Hark, Hoe [MY/AU]; (AU) (For US Only).
JAGADISH, Chennupati [AU/AU]; (AU) (For US Only)
Inventors: FU, Lan; (AU).
TAN, Hark, Hoe; (AU).
JAGADISH, Chennupati; (AU)
Agent: ALLEN, Leon, K; Davies Collison Cave, 1 Little Collins Street, Melbourne, Victoria 3000 (AU)
Priority Data:
PR 0439 28.09.2000 AU
Title (EN) METHOD OF DISORDERING QUANTUM WELL HETEROSTRUCTURES
(FR) PROCEDE DE CREATION DE DEFAUTS DANS DES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method of disordering a quantum well heterostructure (2), including the steps of irradiating the heterostructure (2) with a particle beam, wherein the energy of the beam is such that a defect distribution (40) created by the beam within the heterostructure (2) is substantially constant between a top interface (5) and a bottom interface (19) of the heterostructure (2) [see a portion (42) of the distribution (40)]. The irradiating particles can be ions or electrons (light ions such as hydrogen ions are preferred), and the energy is preferably such that the irradiating particles pass through the heterostructure (2), so a peak (44) of maximum defect density lies, for example, within a substrate (4) below the heterostructure (2). The method can be used to tune the wavelength range of an optoelectronic device including the heterostructure (2), such as a photodetector.
(FR)Ce procédé de création de défauts dans une hétérostructure à puits quantique (2) comprend les étapes suivantes consistant: à soumettre l'hétérostructure (2) à un rayonnement, à l'aide d'un faisceau de particules dont l'énergie est telle qu'une distribution défectueuse (40) créée par le faisceau dans l'hétérostructure (2) est sensiblement constante entre une interface supérieure (5) et une interface inférieure (19) de l'hétérostructure (2) [cf. portion (42) de la distribution (40)]. Les particules de rayonnement peuvent être des ions ou des électrons (de préférence, des ions lumineux tels que des ions hydrogène), et l'énergie est préférablement telle que les particules de rayonnement passent à travers l'hétérostructure (2), de sorte qu'un pic (44) de densité défectueuse maximale se situe, par exemple, à l'intérieur d'un substrat (4), en dessous de l'hétérostructure (2). Il est possible d'utiliser ce procédé pour accorder la gamme de longueurs d'ondes d'un dispositif optoélectronique comprenant ladite hétérostructure (2), tel qu'un photodétecteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)