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1. (WO2002027773) IMPROVED HIGH VOLTAGE DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027773    International Application No.:    PCT/US2001/030670
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 28.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    25.04.2002    
IPC:
H01L 21/329 (2006.01)
Applicants: FABTECH, INC. [US/US]; Suite 350, 777 N.W. Blue Parkway, Lee's Summit, MO 64086-5709 (US) (For All Designated States Except US).
BUCHANAN, Walter [US/US]; (US) (For US Only).
HAMERSKI, Roman [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BUCHANAN, Walter; (US).
HAMERSKI, Roman; (US)
Agent: ELLIOTT, Kyle; Blackwell Sanders Peper Martin LLP, Suite 1000, 2300 Main Street, Kansas City, MO 64108 (US)
Priority Data:
09/670,232 28.09.2000 US
Title (EN) IMPROVED HIGH VOLTAGE DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIF HAUTE TENSION PERFECTIONNE ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN)An electrical device such as a diode usable in high voltage applications wherein the electrical device is fabricated from a method which yields a plurality of high voltage electrical devices, the present method including providing a substrate of a semiconductor material having a predetermined substrate conductive type, the substrate being typically formed from a monocrystalline growth method, forming a second expitaxial layer (14) contiguous with the upper surface (28) of the substrate, the epitaxial layer (14) having a predetermined second layer conductive type, and thereafter forming a top layer (16) of dopant material in a predetermined pattern upon the upper surface of the second epitiaxial layer (14). The substrate and the top layers are then heated to form a diffusion region, after which the top layer is removed and the substrate is divided into individual devices.
(FR)L'invention se rapporte à un dispositif électrique tel qu'une diode susceptible d'être utilisée dans des applications à haute tension. Ledit dispositif électrique est fabriqué selon un procédé qui permet de produire une pluralité de dispositifs électriques haute tension. Le procédé en question consiste à utiliser un substrat, un matériau semi-conducteur présentant un type de conduction préétabli, ledit substrat étant généralement formé par croissance monocristalline, à former une seconde couche épitaxiale (14) contiguë à la surface supérieure (28) du substrat, ladite couche épitaxiale (14) présentant un type préétabli de conduction de seconde couche, puis à former une couche supérieure (16) d'un matériau de dopage suivant un motif préétabli sur la surface supérieure de la seconde couche épitaxiale (14). Le substrat et la couche supérieure sont ensuite chauffés de manière à former une région de diffusion, puis la couche supérieure est supprimée et le substrat divisé en des dispositifs individuels.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)