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1. (WO2002027771) SEMICONDUCTOR INDUSTRY-USE SILICA GLASS JIG AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027771    International Application No.:    PCT/JP2001/007634
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 04.09.2001
IPC:
C03C 15/00 (2006.01), C03C 19/00 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. [JP/JP]; 22-2, Nishi-Shinjuku 1-chome Shinjuku-ku Tokyo 160-0023 (JP)
Inventors: SEGAWA, Tohru; (JP).
SATO, Tatsuhiro; (JP).
MARUKO, Yoichiro; (JP).
INAKI, Kyoichi; (JP)
Agent: HATTORI, Heihachi; 9, Yotsuya 4-chome Shinjuku-ku Tokyo 160-0004 (JP)
Priority Data:
2000-296733 28.09.2000 JP
2000-296756 28.09.2000 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR INDUSTRY-USE SILICA GLASS JIG AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) SUPPORT DE VERRE DE SILICE DESTINE A LA PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE SUPPORT
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor industry-use silica glass jig having many protrusions and recesses on the surface thereof with many small projections uniformly distributed on the protrusions and recesses, and a production method therefor. The maximum width of the small projection is 1-50 $g(m)m, and its height from the base to the top 0.1-10 $g(m)m. The protrusion consists of a truncated pyramidal projecting structure or a groove-interval, and the recess consists of many dimple-shaped dents present between the projecting structures or in a groove and the groove-interval, the maximum width of the base of the projecting structure being 70-1000 $g(m)m, its height from the base to the top being 10-100 $g(m)m, grooves being spaced apart 20-300 $g(m)m and having a width of 0.5-50 $g(m)m, the dimple-shaped dent having a width of 20-300 $g(m)m. The silica glass jig, which is rarely afflicted with particles caused by coating separation and is restricted in cracking to ensure a long service life, can be produced by a simple method of immersing a silica glass-made jig into a first treating solution containing hydrogen fluoride, ammonium fluoride and organic acid and then immersing it into second treating solution containing organic acid larger in amount than the first one, or machining the surface of a silica glass jig and then treating it in a treating solution containing hydrogen fluoride and ammonium fluoride.
(FR)L'invention concerne un support de verre de silice destiné à la production de semi-conducteurs dont la surface comporte un grand nombre de protubérances et de creux, et un grand nombre de petites aspérités réparties uniformément sur les protubérances et les creux, ainsi qu'un procédé permettant de produire ce support. La largeur maximale des petites aspérités est de 1 à 50 $g(m)m et leur hauteur de la base au sommet est de 0,1 à 10 $g(m)m. La protubérance est constituée d'une structure saillante pyramidale tronquée ou d'une partie intermédiaire entre des gorges, et le creux est constitué d'une pluralité d'encoches en forme d'alvéoles présentes entre les structures saillantes ou dans une gorge et une partie intermédiaire entre des gorges. La largeur maximale de la base de la structure saillante est de 70 à 1000 $g(m)m, sa hauteur de la base au sommet de 10 à 100 $g(m)m, les gorges sont espacées de 20 à 300 $g(m)m et présentent une largeur de 0,5 à 50 $g(m)m, et l'encoche en forme d'alvéole présente une largeur de 20 à 300 $g(m)m. Ce support de verre de silice est peu sensible à la formation de particules par séparation du revêtement et résiste aux craquelures, de sorte qu'il présente une longue durée de vie utile. Il peut être produit par un procédé simple consistant à immerger un support en verre de silice dans une première solution de traitement contenant du fluorure d'hydrogène, du fluorure d'ammonium et un acide organique, puis à immerger ce support dans une seconde solution de traitement contenant une proportion d'acide organique plus importante que la première solution, ou à usiner la surface du support en verre de silice puis à la traiter dans une solution de traitement contenant du fluorure d'hydrogène et du fluorure d'ammonium.
Designated States: KR, SG.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)