WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2002027410) CONTRAST ENHANCEMENT FOR LITHOGRAPHY ALIGNMENT MARK RECOGNITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027410    International Application No.:    PCT/US2001/027095
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 30.08.2001
IPC:
G03F 9/00 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street San Jose, CA 95112-4508 (US).
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventors: MANTZ, Ulrich; (DE).
YIN, Xiaoming; (US).
WHEELER, Donald, C.; (US)
Agent: BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation - Intellectual Property Dept. 186 Wood Ave. South Iselin, NJ 08830 (US)
Priority Data:
09/693,284 28.09.2000 US
Title (EN) CONTRAST ENHANCEMENT FOR LITHOGRAPHY ALIGNMENT MARK RECOGNITION
(FR) AUGMENTATION DE CONTRASTE POUR RECONNAISSANCE LITHOGRAPHIQUE DES REPERES D'ALIGNEMENT
Abstract: front page image
(EN)A system and method for providing contrast for determining an edge in alignment systems, in accordance with the present invention, includes propagating light for irradiating an alignment mark and a background portion surrounding the alignment mark of a semiconductor wafer (804). Wavelengths of the propagated light are modulated (806), and reflectance of the wavelength-modulated light is measured for the alignment mark and for the background portion (808). A largest change between the reflectance of the alignment mark and the reflectance of the background portion is determined such that a position where the largest reflectance change occurs indicates an edge of the alignment mark (810).
(FR)L'invention concerne un système et un procédé permettant d'obtenir un contraste afin de déterminer une bordure dans des systèmes d'alignement, consistant à propager de la lumière afin d'irradier un repère d'alignement et une portion de fond entourant le repère d'alignement d'une tranche semi-conductrice (804). Les longueurs d'onde de la lumière propagée sont modulées (806), et la réflectance de la lumière aux longueurs d'onde modulées est mesurée pour le repère d'alignement et pour la portion de fond (808). Une modification plus importante entre la réflectance du repère d'alignement et la réflectance de la portion de fond est déterminée de telle sorte que la position où la modification de réflectance la plus importante intervient indique une bordure du repère d'alignement (810).
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)