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1. (WO2002027362) ELECTRO-OPTIC STRUCTURE AND PROCESS FOR FABRICATING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027362    International Application No.:    PCT/US2001/028096
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 07.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    21.12.2001    
IPC:
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/13 (2006.01), G02F 1/03 (2006.01), G02F 1/035 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: RAMDANI, Jamal; (US).
HILT, Lyndee; (US).
DROOPAD, Ravindranath; (US).
OOMS, William, Jay; (US)
Agent: KOCH, William, E.; Motorola, Inc., Intellectual Property Dept., AZ 11/56-238, 3102 North 56th Street, Phoenix, AZ 85018 (US)
Priority Data:
09/669,602 26.09.2000 US
Title (EN) ELECTRO-OPTIC STRUCTURE AND PROCESS FOR FABRICATING SAME
(FR) STRUCTURE ELECTRO-OPTIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)High quality epitaxial layers of oxide can be grown overlying large silicon wafers (22) by first growing an accommodating buffer layer (26) on a silicon wafer. The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer (24) of silicon oxide. The amorphous intermediate layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous intermediate layer. Waveguides (45) may be formed of high quality monocrystalline material atop the monocrystalline buffer layer. The waveguides can suitably be formed to modulate the wave. Monolithic integration of oxide based electro-optic devices with III-V based photonics and Si circuitry is fully realized.
(FR)L'invention concerne des couches épitaxiales d'oxyde de grande qualité que l'on peut faire croître sur de grandes plaquettes (22) en silicium en faisant croître d'abord une couche tampon (26) d'adaptation sur une plaquette en silicium. La couche tampon d'adaptation est une couche d'oxyde monocristallin, éloignée de la plaquette en silicium par une couche d'interface amorphe en oxyde de silicium. La couche intermédiaire amorphe dissipe les contraintes mécaniques et permet la croissance d'une couche tampon d'adaptation en oxyde monocristallin de grande qualité. La couche intermédiaire amorphe permet de résoudre toute discordance de réseau pouvant se produire entre la couche tampon et le substrat en silicium sous-jacent. Des guides d'ondes (45) peuvent être formés de matériau monocristallin de grande qualité au-dessus de la couche tampon monocristalline. De manière appropriée, on peut former des guides d'ondes pour moduler l'onde. On réalise entièrement l'intégration monolithique de dispositifs électro-optiques à base d'oxyde à photonique à base de III-V et de circuits Si.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)