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1. (WO2002027076) APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/027076    International Application No.:    PCT/JP2001/008328
Publication Date: 04.04.2002 International Filing Date: 26.09.2001
Chapter 2 Demand Filed:    02.04.2002    
IPC:
C30B 15/14 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKEYASU, Shinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KANNO, Kouji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKEYASU, Shinobu; (JP).
KANNO, Kouji; (JP)
Agent: ISHIHARA, Shoji; No.302, Wakai Bldg., 7-8, Higashi-Ikebukuro 3-chome, Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
Priority Data:
2000-292646 26.09.2000 JP
Title (EN) APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONO-CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)An apparatus for producing a semiconductor single crystal by a CZ method, and a method for producing a semiconductor single crystal, in which power consumption is suppressed by suppressing heat generation in a passage for feeding a current, current passage members in the growth furnace of the production apparatus and a structure in the furnace arranged on the periphery thereof are protected against deterioration, and durability of components arranged in the growth furnace can be enhanced. A heater is disposed around a crucible in order to heat and melt a material contained therein, a current passage for supplying power to the heat generating part of the heater is provided in the growth furnace of the production apparatus and electric resistance at the heat generating part of the heater is set not lower than nine times that of the members constituting the current passage.
(FR)L'invention concerne un appareil de production d'un mono-cristal semi-conducteur au moyen d'un procédé CZ, ainsi qu'un procédé de production d'un mono-cristal semi-conducteur. Dans cet appareil, la consommation de puissance est supprimée par suppression de génération thermique dans un passage destiné à alimenter un courant, des éléments du passage du courant dans le four de croissance de l'appareil de production et une structure dans le four disposée sur la périphérie de celui-ci étant protégés contre une éventuelle détérioration et la durabilité des composants disposés dans le four de croissance pouvant être améliorée. Un dispositif de chauffage est disposé autour d'un creuset, en vue de chauffer et de faire fondre un matériau renfermé dans celui-ci, un passage de courant destiné à alimenter en puissance la partie de génération de chaleur du dispositif de chauffage étant prévu dans le four de croissance de l'appareil de production et une résistance électrique au niveau de la partie de génération de chaleur du dispositif de chauffage étant réglée de manière à ne pas être inférieure à neuf fois celle des éléments constituant le passage du courant.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)