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1. (WO2002009193) ASSEMBLY COMPRISING A MAGNETOTRANSISTOR, METHOD FOR PRODUCING AN ASSEMBLY COMPRISING A MAGNETOTRANSISTOR, AND METHOD FOR MEASURING A MAGNETIC FIELD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/009193    International Application No.:    PCT/DE2001/002535
Publication Date: 31.01.2002 International Filing Date: 07.07.2001
Chapter 2 Demand Filed:    01.02.2002    
IPC:
G01R 33/06 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
QU, Ning [CN/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: QU, Ning; (DE)
Priority Data:
100 36 007.6 25.07.2000 DE
Title (DE) ANORDNUNG MIT EINEM MAGNETOTRANSISTOR, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER ANORDNUNG MIT EINEM MAGNETOTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM MESSEN EINES MAGNETFELDES
(EN) ASSEMBLY COMPRISING A MAGNETOTRANSISTOR, METHOD FOR PRODUCING AN ASSEMBLY COMPRISING A MAGNETOTRANSISTOR, AND METHOD FOR MEASURING A MAGNETIC FIELD
(FR) ENSEMBLE COMPORTANT UN MAGNETOTRANSISTOR, PROCEDE DE PRODUCTION D'UN ENSEMBLE COMPORTANT UN MAGNETOTRANSISTOR ET PROCEDE POUR MESURER UN CHAMP MAGNETIQUE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Magnetotransistor mit einem dotierten Halbleitersubstrat (10) und einer auf dem dotierten Halbleitersubstrat (10) aufbauenden Schichtenfolge dotierter Halbleiterschichten (12, 14, 18, 16), wobei an der Oberfläche der Anordnung elektrische Kontakte zur Verfügung stehen, so dass mit der Anordnung mindestens zwei Transistoren realisierbar sind, wobei ein erster Bereich (16) an der Oberfläche der Anordnung mit einer ersten Dotierungsart (n oder p) in einem zweiten Bereich (18) an der Oberfläche der Anordnung mit einer zweiten Dotierungsart (p oder n) eingebettet ist, der zweite Bereich (18) mit der zweiten Dotierungsart (p oder n) in einem dritten Bereich (14) an der Oberfläche der Anordnung mit der ersten Dotierungsart (n oder p) eingebettet ist und sich die erste Dotierungsart (n oder p) von der zweiten Dotierungsart (p oder n) unterscheidet. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer erfindungsgemässen Anordnung sowie ein Verfahren zum Messen eines Magnetfeldes.
(EN)The invention relates to an assembly comprising a magnetotransistor with a doped semiconductor substrate (10) and a layer sequence of doped semiconductor layers (12, 14, 18, 16) applied to the doped semiconductor substrate (10). Electrical contacts are available on the surface of the assembly so that at least two transistors can be produced with said assembly. A first region (16) on the surface of the assembly having a first kind of dopant (n or p) is embedded in a second region (18) on the surface of the assembly having a second kind of dopant (p or n). The second region (18) having the second kind of dopant (p or n) is embedded in a third region (14) on the surface of the assembly having the first kind of dopant (n or p) and the first kind of dopant (n or p) differs from the second kind of dopant (p or n). The invention further relates to a method for producing an assembly according to the invention and to a method for measuring a magnetic field.
(FR)L'invention concerne un ensemble comportant un magnétotransistor avec un substrat semi-conducteur (10) dopé sur lequel se trouve une série de couches de semi-conducteurs (12, 14, 18, 16) dopées. Sur la surface dudit ensemble, deux contacts électriques sont à disposition, de telle sorte que l'on peut réaliser avec cet ensemble au moins deux transistors, une première zone (16) de la surface de cet ensemble présentant un premier type de dopage (n ou p) et étant intégrée dans une seconde zone (18) de ladite surface, qui présente un second type de dopage (p ou n), et cette seconde zone (18), laquelle présente le second type de dopage (p ou n), étant incorporée dans une troisième zone (14) de la surface de l'ensemble, laquelle présente le premier type de dopage n ou p. Le premier type de dopage (n ou p) est différent du second type de dopage (p ou n). L'invention concerne en outre un procédé permettant de réaliser un ensemble selon l'invention, ainsi qu'un procédé pour mesurer un champ magnétique.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)