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1. (WO2002009164) METHOD OF DETERMINING HEAT TREATMENT CONDITIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/009164    International Application No.:    PCT/JP2001/006352
Publication Date: 31.01.2002 International Filing Date: 23.07.2001
Chapter 2 Demand Filed:    22.02.2002    
IPC:
H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
WANG, Wenling [CN/JP]; (JP) (For US Only).
SAKAMOTO, Koichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Fujio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YASUHARA, Moyuru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: WANG, Wenling; (JP).
SAKAMOTO, Koichi; (JP).
SUZUKI, Fujio; (JP).
YASUHARA, Moyuru; (JP)
Agent: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Priority Data:
2000-224146 25.07.2000 JP
2000-224147 25.07.2000 JP
Title (EN) METHOD OF DETERMINING HEAT TREATMENT CONDITIONS
(FR) DETERMINATION DES CONDITIONS DE TRAITEMENT THERMIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method of controlling a substrate temperature according to a corresponding set temperature profile for each group and a method of determining the set temperature profile for the control in a method of heat treating a plurality of substrates classified into a plurality of groups, comprising the first heat treatment step of controlling the substrate temperature for each group according to a specified temporary set temperature file for first batch substrates classified into a plurality of groups and leading treatment gas for heat treatment so as to form a film on the substrates, a first film thickness measurement step of measuring the film thickness of the films formed on the substrates, and a first set temperature profile correction step of correcting the temporary set temperature profile based on the measured film thickness so that the film thicknesses formed during heat treatment are generally equal to each other between the groups, wherein, in the first heat treatment step, the temporary set temperature profile is a profile having the set temperatures varying with the elapse of time.
(FR)Cette invention concerne une méthode permettant de commander la température des substrats conformément à un profil thermique correspondant pour chaque groupe et une méthode permettant de déterminer un profil de température de commande pour le traitement thermique d'une pluralité de substrats classés en une pluralité de groupes. La première opération consiste à régler la température des substrats pour chaque groupe selon un profil thermique temporaire spécifié pour les substrats d'un premier lot classés en une pluralité de groupes et à diriger le gaz de traitement pour le traitement thermique de manière à former un film sur les substrats. On procède ensuite à une opération de mesure de l'épaisseur des films formés sur les substrats, puis à une première opération de correction du profil thermique provisoire en fonction de l'épaisseur de film relevée de telle sorte que les épaisseurs des films formées pendant le traitement thermique soient de façon générale égales entre les groupes, étant entendu que pendant la première opération de traitement thermique, le profil thermique temporaire est un profil dont les températures varient dans le temps.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)