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1. (WO2002009150) SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR USE WITH HIGH-FREQUENCY SIGNALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/009150    International Application No.:    PCT/US2001/022573
Publication Date: 31.01.2002 International Filing Date: 18.07.2001
Chapter 2 Demand Filed:    14.12.2001    
IPC:
C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: EL-ZEIN, Nada; (US).
RAMDANI, Jamal; (US).
EISENBEISER, Kurt; (US).
DROOPAD, Ravindranath; (US)
Agent: WUAMETT, Jennifer B.; MOTOROLA INC., Intellectual Property Department, AZ 11/56-238, 3102 North 56th Street, Phoenix, AZ 85018 (US)
Priority Data:
09/624,296 24.07.2000 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR USE WITH HIGH-FREQUENCY SIGNALS
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE UTILISEE AVEC DES SIGNAUX A HAUTE FREQUENCE
Abstract: front page image
(EN)High quality epitaxial layers of different compound semiconductor materials (237, 239) can be grown overlying regions (231, 232) of large silicon wafers (235) by first growing accommodating buffer layers (236, 238). The accommodating buffer layers is are layers of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by amorphous interface layers (253, 234) of silicon oxide, which dissipates stain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. Various circuits (242, 247) can be formed in the epitaxial layers which may be in communication with circuits (241) in the substrate. These structures have application involving communications with high frequency signals including intelligent transportation systems such as automobile radar systems, smart cruise control systems, collision avoidance systems and automotive navigations systems; and electronic payment systems that use microwave or RF signals such as electronic toll payment for various transportation systems including train fares, and toll roads, parking structures, and toll bridges automobiles.
(FR)L'invention concerne des couches épitaxiales de qualité élevée de matériaux semi-conducteurs de composant (26) pouvant être développées sur de grandes tranches de silicium (22), en développant dans un premier temps une couche tampon d'accommodation (24) sur une tranche de silicium. Cette couche tampon d'accommodation est une couche d'oxyde monocristallin séparée de la tranche de silicium par une couche interface amorphe (28) d'oxyde de silicium. La couche interface amorphe dissipe la déformation et permet de développer une couche tampon d'accommodation d'oxyde monocristallin de qualité élevée. On peut éviter tout décalage entre la couche tampon d'accommodation et le substrat de silicium sous-jacent grâce à la couche interface amorphe. Ces matériaux semi-conducteurs possèdent des applications comprenant les communications avec des signaux à haute fréquence pour des systèmes de transport intelligent, tels que des systèmes de radar automobile, des systèmes de contrôle de croisière intelligents, des systèmes d'évitement de collision, des systèmes de navigation automobile et enfin, des systèmes de paiement électronique qui utilisent les signaux hyperfréquence ou radiofréquence, comme le paiement de péage électronique pour divers systèmes de transport comportant des billets de train, des péages routiers, des structures de stationnement et enfin des péages de ponts pour des automobiles.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)