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1. (WO2002008846) STANDARD CMOS COMPATIBLE BAND GAP REFERENCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/008846    International Application No.:    PCT/US2001/023291
Publication Date: 31.01.2002 International Filing Date: 23.07.2001
Chapter 2 Demand Filed:    28.01.2002    
IPC:
G05F 3/30 (2006.01)
Applicants: IXYS CORPORATION [US/US]; 3540 Bassett Street Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
OCHI, Sam [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: OCHI, Sam; (US)
Agent: CAHILL, Steven, J.; Townsend And Townsend And Crew LLP 2 Embarcadero Center 8th Floor San Francisco, CA 94111 (US)
Priority Data:
60/220,068 21.07.2000 US
09/910,433 20.07.2001 US
Title (EN) STANDARD CMOS COMPATIBLE BAND GAP REFERENCE
(FR) REFERENCE DE LARGEUR DE BANDE INTERDITE CMOS STANDARD COMPATIBLE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a CMOS low noise band gap reference circuit (10) that outputs a substantially constant reference voltage V¿REF?. Band gap reference circuits of the present invention have an amplifier that includes a differential pair of bipolar junction transistors and a feedback circuit that adjusts it current to compensate for variations in the provide a output reference voltage V¿REF? that is substantially constant over a range of temperature and a range of supply voltage.
(FR)La présente invention concerne un circuit (10) de référence de largeur de bande interdite CMOS à faible bruit générant une tension de référence V¿REF? sensiblement constante. Les circuits de référence de largeur de bande interdite de la présente invention sont pourvus d'un amplificateur comprenant une paire différentielle de transistors à jonction bipolaires et un circuit de réaction réglant le courant de façon à compenser les variations dans le courant de polarisation à travers le circuit. Les circuits de référence de largeur de bande interdite de la présente invention génèrent une tension de référence de sortie V¿REF? sensiblement constante sur une plage de température et une plage de tension d'alimentation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)