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1. (WO2002007311) INTEGRATED TUNABLE SURFACE ACOUSTIC WAVE TECHNOLOGY AND SYSTEMS PROVIDED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2002/007311 International Application No.: PCT/US2001/022217
Publication Date: 24.01.2002 International Filing Date: 13.07.2001
Chapter 2 Demand Filed: 01.02.2002
IPC:
H03H 9/02 (2006.01)
Applicants: RUTGERS, THE STATE UNIVERSITY[US/US]; 58 Bevier Road Piscataway, NJ 08854-8010, US
Inventors: LU, Yicheng; US
EMANETOGLU, Nuri, W.; US
Agent: ABBRUZZESE, Salvatore, J. ; Hoffmann & Baron, LLP 6900 Jericho Turnpike Syosset, NY 11791, US
Priority Data:
60/217,89313.07.2000US
60/217,89413.07.2000US
60/217,89513.07.2000US
60/217,89913.07.2000US
Title (EN) INTEGRATED TUNABLE SURFACE ACOUSTIC WAVE TECHNOLOGY AND SYSTEMS PROVIDED THEREBY
(FR) TECHNOLOGIE D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE ACCORDABLE INTEGREE ET SYSTEMES CORRESPONDANTS
Abstract: front page image
(EN) A ZnO monolithically integrated tunable surface acoustic wave (MITSAW) device uses tunable acousto-electric and acouso-optic interaction between surface acoustic waves (SAW) and a two dimensional electron gas (2DEG) in a ZnO/MgxZn1-xO quantum well. The high electromechanical coupling coefficients of piezoelectric ZnO in conjunction with the low acoustic loss and high velocity of sapphire (Al2O3) offers high frequency and low loss RF applications. The 2DEG interacts with the lateral electric field resulting in ohmic loss which attenuates and slows the surface acoustic wave. This mechanism is used to tune the acoustic velocity. The high coupling coefficients offered by the ZnO/R-(Al2O3) systems allows large velocity tuning. Combined with the optical characteristics of the wide and direct band gap (about 3.3 eV) semiconductor and transparent ZnO electrodes, the MITSAW chip can be used for UV optical signal processing. R-plane sapphire is chosen instead of the popular C-plane substrate, as this substrate provides in-plane anisotropy in the ZnO layer. ZnO MITSAW technology not only improves existing devices but also develops many important application areas, such as tunable/adaptive filters, voltage-controlled oscillators, zero-power remote wireless sensors, and fixed and tunable UV optical delay lines.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'onde acoustique de surface accordable à intégration monolithique de ZnO (MITSAW) utilisant une interaction électrico-acoustique accordable et optico-acoustique entre des ondes acoustiques de surface (SAW) et un gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) dans un puits quantique de ZnO/MgxZn1-xO. les coefficients de couplage électromécanique élevés de ZnO piézo-électrique en conjonction avec la perte acoustique faible et la vitesse élevée du saphir (Al2O3) permet des applications RF à haute fréquence et à faible perte. L'interaction du gaz d'électrons bidimensionnel avec le champ électrique latéral a pour résultat une perte ohmique qui atténue et ralentit l'onde acoustique de surface. On utilise ce mécanisme pour accorder la vitesse acoustique. Les coefficients de couplage élevés offerts par le système ZnO/R-(Al2O3) permettent un important accord de vitesse. La combinaison des caractéristiques optiques du semi-conducteur à structure de bande directe et importante (environ 3,3 eV) et d'électrodes transparentes en ZnO, permet d'utiliser la puce MITSAW dans un traitement de signal optique UV. On choisit un saphir à plan R à la place du substrat commun à plan C, étant donné que ce substrat comporte une anisotropie de plan dans la couche de ZnO. La technologie MITSAW à ZnO permet non seulement d'améliorer des dispositifs existants mais aussi de développer de nombreux domaines d'applications importantes, telles que filtres accordables/adaptatifs, oscillateurs à régulation de tension, capteurs hertziens distants de puissance nulle, et lignes de retard optique UV accordables et fixes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)