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1. (WO2002007310) ACOUSTIC WAVE DEVICE COMPRISING ALTERNATING POLARISATION DOMAINS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/007310    International Application No.:    PCT/FR2001/002225
Publication Date: 24.01.2002 International Filing Date: 10.07.2001
IPC:
H03H 9/02 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01)
Applicants: THALES [FR/FR]; 173, boulevard Haussmann F-75008 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
BALLANDRAS, Sylvain [FR/FR]; (FR) (For US Only).
GAUTIER, Brice [FR/FR]; (FR) (For US Only).
HAUDEN, Daniel [FR/FR]; (FR) (For US Only).
LABRUNE, Jean-Claude [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: BALLANDRAS, Sylvain; (FR).
GAUTIER, Brice; (FR).
HAUDEN, Daniel; (FR).
LABRUNE, Jean-Claude; (FR)
Agent: ESSELIN, Sophie; Thales Intellectual Property 13, av. du Prés. Salvador Allende F-94117 Arcueil Cedex (FR)
Priority Data:
00/09246 13.07.2000 FR
Title (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE COMPRISING ALTERNATING POLARISATION DOMAINS
(FR) DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES COMPRENANT DES DOMAINES DE POLARISATION ALTERNEE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns an acoustic wave device comprising a ferroelectric material layer (C) and a substrate. The invention is characterised in that the ferroelectric material is interposed between a first electrode (E1) deposited at the substrate surface or constituting the substrate and a second electrode (E2) and the ferroelectric material layer comprises first positive polarisation domains (D1) and second negative polarisation domains (D2). For applications in the field of surface wave transducers, structures can be advantageously produced with pitch domain inversion of the order of several hundreds of nanometers, adapted to high frequency applications (of the order of one Giga-Hertz).
(FR)L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques comprenant une couche de matériau ferroélectrique (C) et un substrat (S), caractérisé en ce que la couche de matériau ferroélectrique est comprise entre une première électrode (E1) déposée à la surface du substrat ou constitutive du substrat et une deuxième électrode (E2) et en ce que la couche de matériau ferroélectrique comprend des premiers domaines de polarisation positive (D1) et des seconds domaines de polarisation négative (D2). Pour des applications dans le domaine des transducteurs à ondes de surface on peut avantageusement réaliser des structures avec inversion de domaines de pas de l'ordre de quelques centaines de nanomètres, adaptées à des applications hautes fréquences (de l'ordre du Giga Hertz).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)