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1. (WO2002007222) RECEIVER COMPRISING A VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/007222    International Application No.:    PCT/EP2001/007686
Publication Date: 24.01.2002 International Filing Date: 04.07.2001
IPC:
H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL) (AT, BE, CH, CY, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, LU, MC, NL, PT, SE, TR only).
PHILIPS CORPORATE INTELLECTUAL PROPERTY GMBH [DE/DE]; Habsburgerallee 11 52066 Aachen (DE) (DE only).
BOLLIG, Bernhard [DE/NL]; (NL) (For US Only).
RITTER, Hans, M. [DE/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: BOLLIG, Bernhard; (NL).
RITTER, Hans, M.; (NL)
Agent: ZÖLLNER, Christine; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
100 32 389.8 06.07.2000 DE
Title (EN) RECEIVER COMPRISING A VARIABLE CAPACITANCE DIODE
(FR) RECEPTEUR COMPRENANT UNE DIODE A CAPACITE VARIABLE
Abstract: front page image
(EN)A receiver for radio or television signals provided with a high-frequency circuit comprising a discrete semiconductor component which includes a planar variable capacitance diode formed on a semiconductor substrate of a first doping type with a first doping density n1, on which semiconductor substrate an epitaxial layer of the same doping type with a second doping density n2 > n1 is provided, on which epitaxial layer an insulation layer having a first window is provided by means of a first laterally bounded semiconductor region of a second doping type with a doping density n3 > n2 in the epitaxial layer below the first window, and a first contact pad which contacts the first laterally bounded semiconductor region via the first window, which semiconductor component further includes an integrated series resistor composed of a resistor path comprising two path ends on the insulation layer, the first path end being in contact, through a second window in the insulation layer, with a third laterally bounded semiconductor region of the first doping type with a doping density n5 > n2, which extends, in the vertical direction, at least through the epitaxial layer, which resistor path further comprises a second contact pad, which is arranged on the insulation layer and contacts the second path end of the resistor path, and a second laterally bounded semiconductor region in the epitaxial layer, below the second contact pad and the resistor path, said semiconductor region having a doping of the second doping type with a doping density n4, which substantially compensates for the doping of the first doping type with a doping density n2 of the epitaxial layer.
(FR)L'invention concerne un récepteur pour des signaux radio ou de télévision, pourvu d'un circuit à haute fréquence comprenant un composant à semiconducteur discret qui présente une diode planar à capacité variable formée sur un substrat semiconducteur d'un premier type de dopage avec une première densité de dopage n1, sur lequel se trouve une couche épitaxiale du même type de dopage avec une deuxième densité de dopage n2>n1, sur laquelle une couche isolante présentant une première fenêtre est formée par à une première région de semiconducteur d'un deuxième type de dopage, délimitée latéralement, avec une densité de dopage n3>n2 dans la couche épitaxiale sous la première fenêtre, et une première plage de contact qui assure le contact avec la première région de semiconducteur délimitée latéralement, par l'intermédiaire de la première fenêtre. Ledit composant à semiconducteur comprend également une résistance en série intégrée, composée d'un chemin de résistance comprenant deux terminaisons sur la couche isolante, la première terminaison étant en contact, à travers une deuxième fenêtre située dans la couche isolante, avec une troisième région de semiconducteur, délimitée latéralement, du premier type de dopage avec une densité de dopage n5>n2, qui s'étend, dans la direction verticale, au moins à travers la couche épitaxiale, lequel chemin de résistance comprend encore une deuxième plage de contact, qui est disposée sur la couche isolante et assure le contact avec la deuxième terminaison du chemin de résistance, et une deuxième région de semiconducteur délimitée latéralement dans la couche épitaxiale, sous la deuxième plage de contact et le chemin de résistance, ladite région de semiconducteur présentant un dopage du deuxième type avec une densité de dopage n4, qui compense sensiblement le dopage du premier type avec une densité de dopage n2 de la couche épitaxiale.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)