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1. (WO2002005349) ELECTRICAL PASSIVATION OF SILICON-CONTAINING SURFACES USING ORGANIC LAYERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/005349    International Application No.:    PCT/US2001/022045
Publication Date: 17.01.2002 International Filing Date: 12.07.2001
Chapter 2 Demand Filed:    11.02.2002    
IPC:
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01)
Applicants: CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 East California Boulevard, Pasadena, CA 91125 (US)
Inventors: LEWIS, Nathan, S.; (US).
ROYEA, William; (US)
Agent: HAILE, Lisa, A.; Gray Cary Ware & Freidenrich LLP, 4365 Executive Drive, Suite 1100, San Diego, California 92121-2133 (US)
Priority Data:
60/217,749 12.07.2000 US
Title (EN) ELECTRICAL PASSIVATION OF SILICON-CONTAINING SURFACES USING ORGANIC LAYERS
(FR) PASSIVATION ELECTRIQUE DE SURFACES CONTENANT DU SILICIUM AU MOYEN DE COUCHES ORGANIQUES
Abstract: front page image
(EN)Electrical structures and devices may be formed and include an organic passivating layer (R) that is chemically bonded to a silicon-containing semiconductor material (Si) to improve the electrical properties of electrical devices. In different embodiments, the organic passivating layer (52, 62, 82) may remain within finished devices to reduce dangling bonds, improve carrier lifetimes, decrease surface recombination velocities, increase electronic efficiencies, or the like. In other embodiments, the organic passivating layer (114, 150) may be used as a protective sacrificial layer and reduce contact resistance or reduce resistance of doped regions. The organic passivation layer may be formed without the need for high-temperature processing.
(FR)L'invention concerne des structures et des dispositifs électriques comportant une couche (R) de passivation organique liée par des moyens chimiques à une matière (Si) semi-conductrice contenant du silicium afin d'améliorer les propriétés électriques des dispositifs électriques. Dans des formes de réalisation différentes, la couche (52, 62, 82) de passivation organique demeure dans les dispositifs finis pour limiter les liaisons pendantes, augmenter la durée de vie des supports, réduire les vitesses de recombinaison superficielle, accroître les rendements électroniques ou analogue. Dans d'autres formes de réalisation, la couche (114, 150) de passivation organique peut servir de couche sacrificielle de protection et permet de réduire la résistance de contact ou la résistance de régions dopées. La couche de passivation organique peut être formée sans nécessiter de traitement à haute température.
Designated States: European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)