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1. (WO2002005344) METHOD FOR CUTTING A BLOCK OF MATERIAL AND FOR FORMING A THIN FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/005344    International Application No.:    PCT/FR2001/002239
Publication Date: 17.01.2002 International Filing Date: 11.07.2001
Chapter 2 Demand Filed:    17.01.2002    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31/33, rue de la Fédération F-75752 PARIS 15ème (FR) (For All Designated States Except US).
ASPAR, Bernard [FR/FR]; (FR) (For US Only).
LAGACHE, Chrystelle [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: ASPAR, Bernard; (FR).
LAGACHE, Chrystelle; (FR)
Agent: WEBER, Etienne; c/o BREVATOME 3, rue du Docteur Lancereaux F-75008 PARIS (FR)
Priority Data:
00/09129 12.07.2000 FR
Title (EN) METHOD FOR CUTTING A BLOCK OF MATERIAL AND FOR FORMING A THIN FILM
(FR) PROCEDE DE DECOUPAGE D'UN BLOC DE MATERIAU ET DE FORMATION D'UN FILM MINCE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for cutting a block of material (10) comprising the following steps: a) forming in the block a buried zone (12), embrittled by at least an ion-inserting step, the buried zone delimiting at least a surface part (14) of the block; b) forming at the embrittled zone at least an incipient cleavage (30, 36) using first separating means selected among inserting a tool, injecting a fluid, a heat treatment and/or ion implantation of an ionic species different from that inserted during the preceding step; and c) separating at the embrittled zone of the surface part (14) of the block a remaining part (16), called mass part, from the incipient cleavage (30, 36) using second means, different from the first separation means and selected among heat treatment and/or applying mechanical forces exerted between the surface part and the embrittled zone. The invention is useful for making micro-electronic, optoelectronic or micro-mechanical components,
(FR)Procédé de découpage d'un bloc de matériau (10) comprenant les étapes suivantes :a) la formation dans le bloc d'une zone enterrée (12), fragilisée par au moins une étape d'introduction d'ions, la zone enterrée délimitant au moins une partie superficielle (14) du bloc,b) la formation au niveau de la zone fragilisée d'au moins une amorce de séparation (30, 36) par l'utilisation d'un premier moyen de séparation choisi parmi l'insertion d'un outil, l'injection d'un fluide, un traitement thermique et/ou l'implantation d'ions d'une espèce ionique différente de celle introduite lors de l'étape précédente, etc) la séparation au niveau de la zone fragilisée de la partie superficielle (14) du bloc d'une partie restante (16), dite partie massive, à partir de l'amorce de séparation (30, 36) par l'utilisation d'un deuxième moyen, différent du premier moyen de séparation et choisi parmi un traitement thermique et/ou l'application de forces mécaniques s'exerçant entre la partie superficielle et la zone fragilisée Application à la fabrication de composants de micro-électronique, d'optoélectronique ou de micro-mécanique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)