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1. (WO2002005296) ULTRAVIOLET-TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/005296    International Application No.:    PCT/JP2001/005928
Publication Date: 17.01.2002 International Filing Date: 09.07.2001
Chapter 2 Demand Filed:    29.01.2002    
IPC:
C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Applicants: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 1-8, Honcho 4-chome Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (For All Designated States Except US).
OTA, Hiromichi [JP/JP]; (JP).
ORITA, Masahiro [JP/JP]; (JP).
HOSONO, Hideo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIRANO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OTA, Hiromichi; (JP).
ORITA, Masahiro; (JP).
HOSONO, Hideo; (JP).
HIRANO, Masahiro; (JP)
Agent: NISHI, Yoshiyuki; Nishi Patent Office Suite 211, 26-32, Nakahara 4-chome, Isogo-ku Yokohama-shi, Kanagawa 235-0036 (JP)
Priority Data:
2000-209139 10.07.2000 JP
2001-182643 15.06.2001 JP
Title (EN) ULTRAVIOLET-TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT A L'ULTRAVIOLET ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)An ultraviolet-transparent conductive film characterized by comprising a Ga¿2?O¿3? crystal, being transparent in the wavelength range of from 240 to 800 nm or from 240 to 400 nm, and having conductivity due to an oxygen deficiency or a dopant element. The dopant comprises at least one element selected among tin, germanium, silicon, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, and tungsten. The conductive film is produced by any one of the pulse/laser vapor deposition method, sputtering method, CVD method, and MBE method at a substrate temperature of 600 to 1,500°C and a partial oxygen pressure of 0 to 1 Pa.
(FR)L'invention concerne un film conducteur transparent à l'ultraviolet caractérisé en ce qu'il comprend un cristal Ga¿2?O¿3?, étant transparent lorsqu'il est soumis à une longueur d'onde comprise entre 240 et 800 nm ou entre 240 et 400 nm, et possédant une conductivité occasionnée par un manque d'oxygène ou d'élément dopant. Cet élément dopant comprend au moins un élément choisi dans le groupe constitué d'étain, de germanium, de silicium, de titane, de zirconium, d'hafnium, de vanadium, de tantale, de chrome, de molybdène et de tungstène. Le film conducteur est produit au moyen d'un des procédés suivants : un procédé de dépôt de vapeur impulsion/laser, un procédé de pulvérisation cathodique, un procédé CVD, et un procédé d'épitaxie par faisceaux moléculaires ; à une température de substrat comprise entre 600 et 1500 °C et à une pression d'oxygène comprise entre 0 et 1 Pa.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)