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1. (WO2002005286) MAGNETIC MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/005286    International Application No.:    PCT/EP2001/005635
Publication Date: 17.01.2002 International Filing Date: 16.05.2001
IPC:
G11C 11/14 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventors: LENSSEN, Kars-Michiel, H.; (NL).
RUIGROK, Jacobus, J., M.; (NL)
Agent: DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
00202187.1 23.06.2000 EP
Title (EN) MAGNETIC MEMORY
(FR) MEMOIRE MAGNETIQUE
Abstract: front page image
(EN)The object of the invention is the shielding of a magnetic memory against high external magnetic fields. The magnetic memory (1) comprises an array of magnetic memory elements (2), each memory element (3) including at least one layer of magnetic material (4). The operation of the magnetic memory elements (3) is based on a magnetoresistance effect. The memory (1) is protected against high external magnetic fields by a shielding layer (14), which has been split into regions (5) covering the memory elements (3). The magnetic memory (1) is not erased by high external magnetic fields because of a strong attenuation of the external magnetic field by the regions (5) of the shielding layer (14).
(FR)L'invention concerne le blindage d'une mémoire magnétique contre des champs magnétiques externes élevés. La mémoire magnétique (1) comprend un réseau d'éléments de mémoire magnétique (2), chaque élément de mémoire (3) comprenant au moins une couche de matière magnétique (4). Le fonctionnement des éléments de mémoire magnétique (3) repose sur un effet de résistance magnétique. La mémoire (1) est protégée contre des champs magnétiques externes élevés par une couche de blindage (14), qui a été divisée en régions (5) couvrant les éléments de mémoire (3). La mémoire magnétique (1) n'est pas effacée par des champs magnétiques externes élevés, en raison d'une forte atténuation du champ magnétique externe par les régions (5) de la couche de blindage (14).
Designated States: CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)