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1. (WO2002004885) METHOD AND APPARATUS FOR HIGH-SPEED THICKNESS MAPPING OF PATTERNED THIN FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/004885    International Application No.:    PCT/US2001/021179
Publication Date: 17.01.2002 International Filing Date: 05.07.2001
Chapter 2 Demand Filed:    29.01.2002    
IPC:
G01B 11/06 (2006.01), G01N 21/55 (2006.01), G01N 21/84 (2006.01), G01N 21/95 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: FILMETRICS, INC. [US/US]; 9335 Chesapeake Drive San Diego, CA 92123 (US)
Inventors: CHALMERS, Scott, A.; (US).
GEELS, Randall, S.; (US)
Agent: LAURENSON, Robert, C.; Howrey Simon Arnold & White LLP 301 Ravenswood Avenue Box 34 Menlo Park, CA 94025 (US)
Priority Data:
09/611,219 06.07.2000 US
09/899,383 03.07.2001 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR HIGH-SPEED THICKNESS MAPPING OF PATTERNED THIN FILMS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT UN MAPPAGE RAPIDE DES EPAISSEURS DE FILMS MINCES IMPRIMES
Abstract: front page image
(EN)a system is described that permits high-speed, high-resolution mapping of thicknesses (or other properties) of layers on patterned semiconductor wafers. The system comprises one or more spectrometers that each simultaneously image a plurality of spatial locations. In one example, the spectrometer comprises a two-dimensional CCD imager with one axis of the imager measuring spectral data and the other axis measuring spatial data. Spectral reflectance or transmission of the patterned wafer under test is obtained by passing the wafer under (or over) the imaging spectrometer)s) and taking sequential reflectance or transmission images for successive pluralities of spatial locations. The resulting spectral reflectance or transmission map can then be analyzed at discrete locations to determine the thickness or other properties of the layers at those locations.
(FR)La présente invention concerne un système qui permet d'effectuer un mappage de haute résolution et à haute vitesse des épaisseurs (ou d'autres propriétés) de couches de plaquettes de semiconducteur imprimées. Ce système comprend un ou plusieurs spectromètres qui forment chacun simultanément une image d'une pluralité de localisations spatiales. Dans un exemple, le spectromètre comprend un dispositif de formation d'image CCD en deux dimensions avec un axe de ce dispositif qui mesure des données spectrales et l'autre axe qui mesure des données spatiales. On obtient la réflectance spectrale ou l'émission de la plaquette imprimée testée en passant cette plaquette sous (ou sur) le ou les spectromètres d'imagerie et en prenant une réflectance séquentielle ou des images d'émission de pluralités successives de localisations spatiales. La réflectance spectrale résultante ou l'application d'émission peut ensuite être analysée au niveau de localisations discrètes de façon à déterminer l'épaisseur ou d'autres propriétés de ces couches au niveau de ces localisations.
Designated States: DE, IL, JP, KR.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)