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1. (WO2002002458) METHOD FOR PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT PRODUCED BY SAID METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/002458    International Application No.:    PCT/DE2001/001516
Publication Date: 10.01.2002 International Filing Date: 20.04.2001
IPC:
B81B 3/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
BENZEL, Hubert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEBER, Heribert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ARTMANN, Hans [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHAEFER, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BENZEL, Hubert; (DE).
WEBER, Heribert; (DE).
ARTMANN, Hans; (DE).
SCHAEFER, Frank; (DE)
Priority Data:
100 32 579.3 05.07.2000 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE EIN NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT PRODUCED BY SAID METHOD
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UN COMPOSANT A SEMICONDUCTEURS ET COMPOSANT A SEMICONDUCTEURS AINSI PRODUIT
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100;...; 2200), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Drucksensor, das ein Halbleitersubstrat (101) aufweist, wie insbesondere aus Silizium, und von einem verfahrensgemäss hergestellten Halbleiterbauelement. Insbesondere zur Reduzierung der Herstellungskosten eines solchen Halbleiterbauelements wird vorgeschlagen, das Verfahren dahingehend weiterzubilden, dass in einem ersten Schritt eine erste poröse Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, und dass in einem zweiten Schritt ein Hohlraum bzw. eine Kaverne (201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201) unter oder aus der ersten porösen Schicht (104; 1001; 1301) in dem Halbleiterbauelement gebildet wird, wobei der Hohlraum bzw. die Kaverne mit einer externen Zugangsöffnung versehen sein kann.
(EN)The invention relates to a method for the production of a semiconductor component (100; ; 2200), in particular, a multi-layered semiconductor component, preferably a micromechanical component, such as, in particular, a pressure sensor, comprising a semiconductor substrate (101), in particular, made from silicon and a semiconductor component produced by said method. The invention particularly relates to the reduction of the production costs of such a semiconductor component by developing the method such that, in a first step, a first porous layer (104; 1001; 1301) is formed in the semiconductor component and, in a second step, a cavity or a cavern (201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201) is formed under, or from, the first porous layer (104; 1001; 1301) in the semiconductor component. Said cavity or cavern can be provided with an external entry opening.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire un composant à semiconducteurs (100;; 2200), notamment un composant à semiconducteurs multicouche, de préférence un composant micromécanique, en particulier un détecteur de pression, qui présente un substrat semiconducteur (101), notamment en silicium. L'invention concerne également un composant à semiconducteurs ainsi produit. L'objectif de l'invention est notamment de réduire les frais de production d'un tel composant à semiconducteurs. A cet effet, dans une première étape du procédé, une première couche poreuse (104; 1001; 1301) est formée dans le composant à semiconducteurs et, dans une deuxième étape, une cavité (201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201) est ménagée en-dessous ou à partir de la première couche poreuse (104; 1001; 1301) dans le composant à semiconducteurs, ladite cavité pouvant être pourvue d'un orifice d'accès extérieur.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)