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1. (WO2002001628) FORMATION OF BORIDE BARRIER LAYERS USING CHEMISORPTION TECHNIQUES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/001628    International Application No.:    PCT/US2001/020310
Publication Date: 03.01.2002 International Filing Date: 26.06.2001
Chapter 2 Demand Filed:    16.01.2002    
IPC:
C23C 16/38 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95050 (US)
Inventors: BYUN, Jeong, Soo; (US).
MAK, Alfred, W.; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan L.L.P., Suite 1500, 3040 Post Oak Boulevard, Houston, TX 77056 (US)
Priority Data:
09/604,943 27.06.2000 US
Title (EN) FORMATION OF BORIDE BARRIER LAYERS USING CHEMISORPTION TECHNIQUES
(FR) FORMATION DE COUCHES DE BORURE BARRIERES PAR DES TECHNIQUES DE CHIMISORPTION
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a boride layer for integrated circuit fabrication is disclosed. In one embodiment, the boride layer is formed by chemisorbing monolayers of a boron-containing compound (305) and one refractory metal compound (307) onto a substrate. In an alternate embodiment, the boride layer has a composite structure. The composite boride layer structure (409) comprises two or more refractory metals (M1, M2). The composite boride layer is formed by sequentially chemisorbing monolayers of a boron compound (405) and two or more refractory metal compounds (407) on a substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de borure destiné à la fabrication des circuits intégrés. Dans un mode de réalisation, la couche de borure est formée par chimisorption de monocouches d'un composé contenant du bore et d'un composé métallique réfractaire sur un substrat. Dans un autre mode de réalisation, la couche de borure a une structure composite composée de deux métaux réfractaires au moins. La couche de borure composite est formée par chimisorption séquentielle de monocouches d'un composé du bore et de deux composés métalliques réfractaires au moins sur un substrat.
Designated States: CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)