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1. (WO2002001617) SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2002/001617    International Application No.:    PCT/JP2001/005402
Publication Date: 03.01.2002 International Filing Date: 25.06.2001
Chapter 2 Demand Filed:    07.01.2002    
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
MASUMURA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MASUMURA, Hisashi; (JP).
KOBAYASHI, Makoto; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Priority Data:
2000-196937 29.06.2000 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE GRAVURE AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor wafer processing method for polishing the surface of a semiconductor wafer with an abrasive cloth sliding on the surface of the semiconductor wafer at a predetermined polishing pressure, characterized in that the polishing pressure on the peripheral portion of the semiconductor wafer is weaker than that on the central portion so that the peripheral portion is raised after the polishing and in that only the peripheral portion is plasma-etched. A plasma etching apparatus characterized in that the diameter of a nozzle ranges from 1 to 2 mm is also disclosed. The entire surface of a semiconductor wafer can be flattened with high precision and high throughput.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement d'une plaquette de semi-conducteur permettant de polir la surface d'une plaquette de semi-conducteur au moyen d'un tissu abrasif glissant sur la surface de ladite plaquette de semi-conducteur à une pression de polissage prédéterminée. Ce procédé se caractérise en ce que la pression de polissage sur la partie périphérique de la plaquette de semi-conducteur est plus faible que sur la partie centrale de manière que la partie périphérique soit surélevée après le polissage, et en ce que seule la partie périphérique est gravée au plasma. L'invention concerne également un appareil de gravure au plasma caractérisé en ce que le diamètre d'une buse est compris entre 1 et 2 mm. La surface complète de la plaquette de semi-conducteur peut être aplatie avec une grande précision et un grand débit.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)