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1. (WO2002001170) METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING TEMPERATURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2002/001170 International Application No.: PCT/JP2001/005325
Publication Date: 03.01.2002 International Filing Date: 21.06.2001
Chapter 2 Demand Filed: 21.06.2001
IPC:
C30B 13/00 (2006.01) ,C30B 13/22 (2006.01) ,C30B 13/28 (2006.01) ,G01J 5/00 (2006.01) ,G01J 5/04 (2006.01) ,G01J 5/08 (2006.01)
Applicants: AZAMI, Takeshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
NEC CORPORATION[JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 108-8001, JP (AllExceptUS)
Inventors: AZAMI, Takeshi; JP
Agent: MARUYAMA, Takao; c/o MARUYAMA PATENT OFFICE SAM Build. 3floor 38-23, Higashi-Ikebukuro 2-chome Toshima-ku, Tokyo 170-0013, JP
Priority Data:
2000-19144126.06.2000JP
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING TEMPERATURE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE MESURE DE LA TEMPERATURE
Abstract: front page image
(EN) The temperature of the silicon melt (1) in an infrared image furnace (2) for growing single-crystal silicon by floating zone melting using a halogen lamp (8) as a heat source is measured accurately by a simple arrangement using the radiation from the silicon melt (1). Light in a particular direction from the silicon melt (1) is extracted by extending a light-guide tube (3) toward the silicon melt (1). This is effective to reduce the effects of various disturbances such as the radiation from the halogen lamp (8), reflection and scattered light. A CCD camera (7) measures the luminance of the extracted light, based on which temperature is determined.
(FR) La température du silicium fondu (1) dans un four à images infrarouges (2) servant à former un silicium moncristallin par fusion par zone flottante à l'aide d'une lampe halogène (8) utilisée comme source de chaleur est mesurée avec précision par un simple arrangement qui exploite le rayonnement émis par le silicium fondu (1). Une lumière orientée dans une direction particulière à partir du silicium fondu (1) est extraite par extension d'un tube de guidage optique (3) vers le silicium fondu (1). Ce procédé permet de réduire efficacement les effets de diverses perturbations, telles que le rayonnement provenant de la lampe halogène (8), la réflexion et la lumière diffusée. Une caméra CCD (7) mesure la luminance de la lumière extraite, selon la température déterminée.
Designated States: US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)