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1. (WO2002000971) SILICON EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD AND SILICON EPITAXIAL WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2002/000971 International Application No.: PCT/JP2001/005563
Publication Date: 03.01.2002 International Filing Date: 27.06.2001
IPC:
C30B 31/06 (2006.01) ,H01L 21/22 (2006.01)
Applicants: KABASAWA, Hitoshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
OKUBO, Yuji[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.[JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP (AllExceptUS)
Inventors: KABASAWA, Hitoshi; JP
OKUBO, Yuji; JP
Agent: SUGAWARA, Seirin; Sakae Yamakichi Bldg. 9-30, Sakae 2-chome, Naka-ku Nagoya-shi, Aichi 460-0008, JP
Priority Data:
2000-19588029.06.2000JP
Title (EN) SILICON EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD AND SILICON EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE EPITAXIALE EN SILICIUM ET TRANCHE EPAXIALE EN SILICIUM AINSI OBTENUE
Abstract: front page image
(EN) In order to keep constant the impurity concentration profile in a transition region which is susceptible to the influence of an auto doping phenomenon, a dopant gas of a concentration at which an impurity concentration higher than the auto doping amount is fed to the transition region to shift the gradient of the impurity concentration profile of the transition region to the higher concentration side. In other words, the impurity concentration profile of the transition region is so preset that the impurity concentration may be sufficiently higher than the auto doping amount estimated. The auto doping amount is limited, even if changed, within an allowable changing range of the gradient impurity concentration profile, so that the characteristics of a semiconductor device made of a silicon epitaxial wafer is hardly subject to the influence of the auto doping phenomenon.
(FR) Afin de maintenir constant le profil de la concentration d'impuretés dans une zone de transition pouvant être soumise aux effets d'un phénomène d'auto-dopage, un gaz dopant dont la concentration est telle que la concentration d'impuretés est supérieure à la quantité d'auto-dopage est chargé dans la zone de transition de manière à transférer le gradient du profil de la concentration d'impuretés de la zone de transition côté concentration plus élevée. En d'autres termes, le profil de la concentration d'impuretés de la zone de transition est présélectionné de telle sorte que ladite concentration soit suffisamment plus élevée que la quantité d'auto-dopage estimée. La quantité d'auto-dopage est limitée, même si elle est modifiée, à une gamme de modification acceptable du gradient du profil de la concentration d'impuretés, de sorte qu'un dispositif semi-conducteur fabriqué à partir d'une tranche épitaxiale en silicium ne soient pas soumis aux effets d'un phénomène d'auto-dopage.
Designated States: KR, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)