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1. (WO2001091259) EXTERNAL CAVITY LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/091259    International Application No.:    PCT/EP2001/001677
Publication Date: 29.11.2001 International Filing Date: 15.02.2001
Chapter 2 Demand Filed:    09.11.2001    
IPC:
H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/14 (2006.01)
Applicants: ITALTEL S.P.A. [IT/IT]; Via Alessio di Tocqueville, 13 I-20154 Milano (IT) (For All Designated States Except US).
CHIARETTI, Guido [IT/IT]; (IT) (For US Only)
Inventors: CHIARETTI, Guido; (IT)
Agent: MACCALLI, Marco; c/o Maccalli & Pezzoli S.r.l Via Settembrini, 40 I-20124 Milano (IT)
Priority Data:
PCT/IT OO/00212 24.05.2000 IT
Title (EN) EXTERNAL CAVITY LASER
(FR) LASER A CAVITE EXTERNE
Abstract: front page image
(EN)External cavity laser with reflector in optical wave guide, particularly HDBR laser, with an active element comprising a semiconductor optical amplifying cavity having a low-reflectivity facet (3), for example a Semiconductor Optical Amplifier (SOA) with a facet (30) opposite to said low-reflectivity facet treated with a reflecting coating, or a Fabry-Perot laser, and an external reflector comprising a Bragg grating (70) formed in an optical wave guide (4) near a termination (5), facing said facet, of a segment (5, 6, 7) of said optical wave guide coupled with the facet. The grating has a spatial profile of modulation of the refraction index such that a corresponding optical reflectivity spectrum (A) has an optical bandwidth (W) sufficiently small around a prescribed laser oscillation mode wavelength ($g(g)c) for the laser to oscillate only on the prescribed mode and not on other oscillation modes even in conditions of high-frequency direct modulation.
(FR)L'invention concerne un laser à cavité externe muni d'un réflecteur en guide d'onde optique. Elle concerne en particulier un laser HDRB muni d'un élément alimenté à cavité d'amplification optique à semi-conducteur présentant une facette à faible pouvoir de réflexion (3), telle qu'un amplificateur optique semiconducteur (AOSC), et une facette (30) opposée à ladite facette à faible pouvoir de réflexion traitée avec un revêtement réfléchissant, ou un laser Fabry-Perot, et un réflecteur externe comprenant un réseau de Bragg (70) formé dans un guide d'onde optique (4), à proximité d'une terminaison (5), faisant face à ladite facette, d'un segment (5, 6, 7) dudit guide d'onde optique couplé à la facette. Le réseau présente un profil spatial de modulation de l'indice de réfraction tel qu'un spectre de réflectivité optique (A) présente une largeur de bande optique (W) suffisamment étroite autour d'une longueur d'onde en mode d'oscillation laser ($g(g)c) défini, si bien que le laser n'oscille que dans le mode défini et pas dans d'autres modes d'oscillation, même dans des conditions de modulation directe à haute fréquence.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)