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1. (WO2001091196) GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/091196    International Application No.:    PCT/JP2000/009220
Publication Date: 29.11.2001 International Filing Date: 25.12.2000
Chapter 2 Demand Filed:    14.03.2001    
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01), H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Applicants: TOYODA GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1, Aza-Nagahata, Ooaza-Ochiai Haruhi-cho, Nishikasugai-gun, Aichi 452-8564 (JP) (For All Designated States Except US).
UEMURA, Toshiya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAGASAKA, Naohisa [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: UEMURA, Toshiya; (JP).
NAGASAKA, Naohisa; (JP)
Agent: FUJITANI, Osamu; Tsuchiya Building 3F 23, Ichiyanagi Dohri 1-chome, Nakagawa-ku Nagoya-shi, Aichi 454-0905 (JP)
Priority Data:
2000-150987 23.05.2000 JP
Title (EN) GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT, SEMI-CONDUCTEUR, A BASE DE COMPOSE NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)A reflecting layer (10) including an extension portion (10a) provided near a sapphire substrate (11) around the side wall (21a) of a light-emitting device is formed on the back (substrate surface (11b)) of the sapphire substrate (11). As a result, the adhesion of the portion of the reflecting layer (10) near the periphery of the reflecting layer forming surface (substrate surface (11b)) to the substrate is greatly enhanced thanks to the formation of the extension portion (10a), so that unlike the conventional type, the reflecting layer (10) does not separate from the substrate from the periphery of the reflecting layer forming surface. Consequently even if a step of bonding an adhesive sheet to the reflecting layer (10) to fix the light-emitting device (100) to the adhesive sheet is provided, no defective device with the reflecting layer separated is produced. Therefore the quality and productivity of the semiconductor light-emitting device (100) having a reflecting layer (10) for improving the luminous efficiency can be significantly improved. A short-circuit preventive groove for restricting more extension than necessary of the reflecting layer (10) may be provided in the side wall (21a).
(FR)Selon la présente invention, une couche réfléchissante (10), comprenant une partie de prolongement (10a) qui est pourvue à proximité d'un substrat en saphir (11), autour de la paroi latérale (21a) d'un dispositif électroluminescent, est pourvue sur l'arrière (surface du substrat (11b)) du substrat en saphir (11). L'adhésion de la partie de cette couche réfléchissante (10) qui se trouve à proximité de la périphérie de la surface formant la couche réfléchissante (surface du substrat (11b)) appliquée sur le substrat est ainsi nettement améliorée, de par la formation de la partie de prolongement (10a), de façon que contrairement aux couches de type classique, la couche réfléchissante (10) selon cette invention ne se sépare pas du substrat à partir de la périphérie de la surface formant la couche réfléchissante. Par conséquent, même si une étape de collage d'un film adhésif sur la couche réfléchissante (10) est prévue pour fixer le dispositif électroluminescent (100) au film adhésif, cela ne conduit pas à un dispositif défectueux, présentant une couche réfléchissante séparée. Cette invention permet donc d'améliorer sensiblement la qualité et la productivité du dispositif électroluminescent semi-conducteur (100) qui présente une couche réfléchissante (10) permettant d'améliorer le rendement lumineux. La paroi latérale (21a) peut être pourvue d'une rainure de protection contre les courts-circuits, afin de limiter un prolongement plus important que nécessaire de la couche réfléchissante (10).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)