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1. (WO2001091188) SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR HEMT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/091188    International Application No.:    PCT/US2001/040379
Publication Date: 29.11.2001 International Filing Date: 26.03.2001
Chapter 2 Demand Filed:    14.12.2001    
IPC:
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/205 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01)
Applicants: RAYTHEON COMPANY [US/US]; 141 Spring Street Lexington, MA 02421 (US)
Inventors: HOKE, William, E.; (US).
LEMONIAS, Peter, J.; (US).
KENNEDY, Theodore, D.; (US)
Agent: GAIMAN, Barry; Daly, Crowley & Mofford, LLP Suite 101 275 Turnpike St. Canton, MA 02021 (US)
Priority Data:
09/577,508 24.05.2000 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR HEMT
(FR) STRUCTURES A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor structure, e.g., a high electron mobility transistor structure, is formed by using metamorphic growth and strain compensation. The structure includes a substrate (12), a graded layer (14) over the substrate, a first donor/barrier layer (18) over the graded layer, and a channel layer (24) over the first donor/barrier layer. The substrate (12) has a substrate lattice constant, and the graded layer (14) has a graded lattice constant. The graded layer (14) has a first lattice constant near a bottom of the graded layer substantially equal to the substrate lattice constant and a second lattice constant near a top of the graded layer different than the first lattice constant. The first donor/barrier (18) layer has a third lattice constant, and the channel layer (24) has a fourth lattice constant. The second lattice constant is intermediate the third and fourth lattice constants.
(FR)Une structure à semi-conducteur, par exemple une structure de transistor à haute mobilité électronique, est formée par tirage métamorphique et compensation de contrainte. Ladite structure comprend un substrat (12), une couche à gradient (14) d'indice sur le substrat, une première couche barrière/de donneurs (18) sur la couche à gradient d'indice et une couche canal (24) sur la première couche de donneurs/barrière. Le substrat (12) possède un paramètre cristallin et la couche à gradient (14) d'indice un paramètre cristallin à gradient d'indice. La couche à gradient (14) d'indice présente un premier paramètre cristallin à proximité du fond de la couche à gradient d'indice, sensiblement égal à celui du substrat et un deuxième paramètre cristallin proche du sommet de la couche à gradient d'indice, différent du premier paramètre cristallin. La première couche de donneurs/barrière (18) présente un troisième paramètre cristallin et la couche canal (24) présente un quatrième paramètre cristallin. Le deuxième paramètre cristallin est intermédiaire par rapport aux troisième et quatrième paramètres.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)