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1. (WO2001091187) A SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/091187    International Application No.:    PCT/SE2001/001167
Publication Date: 29.11.2001 International Filing Date: 22.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    23.11.2001    
IPC:
H01L 27/095 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), H01L 29/167 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: ABB AB [SE/SE]; Kopparbergsvägen 2 S-721 83 Västerås (SE) (For All Designated States Except US).
HJORTSTAM, Olof [SE/SE]; (SE) (For US Only).
HAMMERSBERG, Johan [SE/SE]; (SE) (For US Only).
BREITHOLTZ, Bo [SE/SE]; (SE) (For US Only)
Inventors: HJORTSTAM, Olof; (SE).
HAMMERSBERG, Johan; (SE).
BREITHOLTZ, Bo; (SE)
Agent: OLSSON, Jan; Bjerkéns Patentbyrå AB Box 1274 S-801 37 Gävle (SE)
Priority Data:
0001860-6 22.05.2000 SE
Title (EN) A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device comprises a first doped semiconductor layer (3, 4) and a metal layer (6) forming a Schottky-barrier contact thereto. The first layer is doped by dopants assuming such deep energy levels in the semiconductor material of said layer that the majority thereof will not be thermally activated at the working temperature of the device. A second layer located close to the first layer is doped with dopants of opposite type to that of the first layer and is continuously activated at said working temperature for concentrating electric field to a region between the second layer (12, 13) and a further layer (5) of the device not being said first layer in a forward blocking state of the device while reducing the electric field in said first layer next to said contact.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant une première couche semi-conductrice dopée (3, 4) et une couche métallique (6) formant un contact à barrière de Schottky. La première couche est dopée par des dopants assurant de profonds niveaux d'énergie dans le matériau semi-conducteur de cette couche tels que la majorité de cette couche ne sera pas thermiquement activée à la température de fonctionnement du dispositif. Une deuxième couche située à proximité de la première couche est dopée par des dopants de type opposé à celui de la première couche et est activée en continu à cette température de fonctionnement pour concentrer le champ électrique dans une région située entre la deuxième couche (12, 13) et une autre couche (5) distincte de la première couche, le dispositif étant dans un état de blocage avant, tout en réduisant le champ électrique régnant dans la première couche proche de ce contact.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)