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1. (WO2001090802) HORIZONTAL ACCES SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/090802    International Application No.:    PCT/GB2001/002211
Publication Date: 29.11.2001 International Filing Date: 18.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    10.12.2001    
IPC:
G02F 1/01 (2006.01), H01L 31/0232 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/107 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01)
Applicants: QINETIQ LIMITED [GB/GB]; 85 Buckingham Gate London SW1 6TD (GB) (For All Designated States Except US).
HERBERT, David, Charles, Wilfred [GB/GB]; (GB) (For US Only).
WIGHT, David, Robert [GB/GB]; (GB) (For US Only).
CHIDLEY, Edward, Thomas, Robert [GB/GB]; (GB) (For US Only).
CARLINE, Roger, Timothy [GB/GB]; (GB) (For US Only).
LEONG, Weng, Yee [GB/GB]; (GB) (For US Only).
ROBBINS, David, John [GB/GB]; (GB) (For US Only).
HEATON, John, Michael [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: HERBERT, David, Charles, Wilfred; (GB).
WIGHT, David, Robert; (GB).
CHIDLEY, Edward, Thomas, Robert; (GB).
CARLINE, Roger, Timothy; (GB).
LEONG, Weng, Yee; (GB).
ROBBINS, David, John; (GB).
HEATON, John, Michael; (GB)
Agent: REGAN, Heather; Harrison Goddard Foote Orlando House 11c Compstall Road Marple Bridge Stockport SK6 5HH (GB)
Priority Data:
0012167.3 20.05.2000 GB
Title (EN) HORIZONTAL ACCES SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTOR
(FR) PHOTODETECTEUR A SEMI-CONDUCTEURS A ACCES HORIZONTAL
Abstract: front page image
(EN)A horizontal access semiconductor photo detector (2) comprises a horizontal light absorbing layer (8) for converting light into photo-current which layer is configured to confine light within it in whispering gallery modes of propagation. The detector is configured to have a first waveguide portion (18) and a second light confining portion (20, 21) arranged such that the waveguide portion couples light into the detector and transfers light into the light confining portion so as to excite whispering gallery modes of propagation around the light confining portion. The light absorbing layer may be part of the light confining portion or alternatively light can be coupled into the light confining portion or alternatively light can be coupled into the light absorbing layer from the light confining portion by evanescent coupling. The excitation of whispering gallery modes within the light absorbing layer significantly increases the effective absorption coefficient of the light absorbing layer.
(FR)La présente invention concerne un photodétecteur à semi-conducteurs à accès horizontal (2), qui comprend une couche d'absorption de lumière horizontale (8), permettant de transformer la lumière en courant photoélectrique. Ladite couche est conçue pour confiner la lumière en son intérieur, en modes de propagation de voûte acoustique. Le détecteur comprend une première partie de guide d'ondes (18) et une seconde partie de confinement de lumière (20, 21), disposées de façon que la partie de guide d'ondes injecte la lumière dans le détecteur et la transfère dans la partie de confinement de lumière, afin d'exciter les modes de propagation de voûte acoustique autour de ladite partie de confinement de lumière. La couche d'absorption de lumière peut faire partie de la partie de confinement de lumière ou la lumière peut être injectée dans la partie de confinement de lumière ou la lumière peut être injectée dans la couche d'absorption de lumière, à partir de la partie de confinement de lumière, par couplage évanescent. L'excitation des modes de voûte acoustique dans la couche d'absorption de lumière augmente sensiblement le coefficient d'absorption efficace de la couche d'absorption de lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)