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1. (WO2001088994) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/088994    International Application No.:    PCT/JP2001/003979
Publication Date: 22.11.2001 International Filing Date: 14.05.2001
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (For All Designated States Except US).
OHNISHI, Teruhito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASAI, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHNISHI, Teruhito; (JP).
ASAI, Akira; (JP)
Agent: MAEDA, Hiroshi; Taihei Bldg., 4-8, Utsubohonmachi 1-chome, Nishi-ku Osaka-shi, Osaka 550-0004 (JP)
Priority Data:
2000-140292 12.05.2000 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUTEURS ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)An Si¿1-x?Ge¿x? layer (111b) consisting of an i-S¿1-x?Ge¿x? layer and a P?+¿ Si¿1-x?Ge¿x? layer, which functions as a base, is formed on a collector layer (102). A silicon cap layer (111a) for an emitter is formed on the P?+¿ Si¿1-x?Ge¿x? layer. On the silicon cap layer (111a) in a base opening (118), an emitter contact (129) is formed which consists of an N?-¿ polysilicon layer (129b) containing phosphorus within the limit of solid solution to single-crystal silicon and a heavily phosphorus-doped N?+¿ polysilicon layer (129a). The silicon cap layer (111a) is prevented from being doped with excessive phosphorus (P) to keep a proper doping concentration distribution in the base layer. The silicon cap layer (111a) may include a p-type impurity in its upper portion. A proper distribution of p-type doping concentration is thus maintained in the base layer in an NPN bipolar transistor.
(FR)La présente invention concerne une couche en Si¿1-x?Ge¿x? (111b), qui est constituée d'une couche en i-S¿1-x?Ge¿x? et d'une couche en P?+¿Si¿1-x?Ge¿x? et qui sert de base à une couche de collecteur (102) sur laquelle elle est produite. Une couche de protection en silicium (111a) destinée à un émetteur est produite sur ladite couche en P?+¿Si¿1-x?Ge¿x?. Un contact d'émetteur (129), qui est constitué d'une couche N?-¿ en polysilicium (129b), contenant du phosphore dans la limite d'une solution solide sur du silicium monocristallin, et d'une couche N?+¿ en polysilicium, fortement dopée au phosphore (129a), est produit sur ladite couche de protection en silicium (111a), dans une ouverture de la base (118). Ladite couche de protection en silicium (111a) est protégée d'un dopage excessif au phosphore (P), afin de maintenir une distribution de concentration de dopage convenable dans la couche de base. Cette couche de protection en silicium (111a) peut comprendre une impureté de type p dans sa partie supérieure. Une distribution convenable de la concentration de dopage de type p est ainsi maintenue dans la couche de base, dans un transistor bipolaire NPN.
Designated States: CN, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)